Informe fotoresistencia

Instituto Primero de Mayo de 1954

Alumnos:
Amilcar Cruz
Luis Molina
Luis Mercado

Curso y Carrera: 2 ETO

Profesor: Michael Cáceres

Asignatura: Electrónica 2

Tema: Fotorresistencia(LDR)

Fecha: 08 de Septiembre de 2010

Introducción:

RESISTORES LDR
Sus siglas vienen de Light Dependent Resistor, resistor dependiente de la luz, también
llamados fotorresistencias. Tienenvarios Megahmios de resistencia, pero ésta
disminuye a unos 100 ohmios al ser expuesta a la luz.
Se fabrican a base de sulfuro de cadmio.
Este material, convenientemente tratado, contiene pocos oningún electrón libre, si se mantiene en completa oscuridad. En estas condiciones, su resistencia es elevada. Si absorbe luz, se libera cierto número de electrones, y esto hace aumentar la conductividaddel material. Al cesar la iluminación, los electrones son recapturados a sus posiciones originales.

Funcionamiento
Una fotorresistencia está hecho de un semiconductor de alta resistencia como elsulfuro de cadmio. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente energía parasaltar la banda de conducción. El electrón libre que resulta, y su hueco asociado, conducen la electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia. Los valores típicos varían entre 1 MΩ, o más, en laoscuridad y 100 Ω con luz brillante.

Las células de sulfuro del cadmio se basan en la capacidad del cadmio de variar su resistencia según la cantidad de luz que incide la célula. Cuanto más luzincide, más baja es la resistencia.
Las células son también capaces de reaccionar a una amplia gama de frecuencias, incluyendo:
* infrarrojo (IR)
* luz visible
* ultravioleta (UV).
Lavariación del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente si se pasa de oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro. Esto limita a no usar los LDR en aplicaciones en las que la señal luminosa...