Informe fuentes de poder

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INTRODUCCION
El día 06 de diciembre del presente año se llevó a cabo un laboratorio el cual constaba de la manipulación de la fuente de poder y la board. La fuente de poder la abrimos para mirar queera lo que la constituía en su interior y gracias al Ingeniero. Manuel Alejandro pudimos diferenciar las bobinas, los circuitos, los integrados, entre otros. Luego con el TESTER medimos losintegrados y circuitos. Luego destapamos la CPU en la cual nos encontramos con un sin fin de dispositivos los cuales se identificaron con la orientación del Ingeniero, y nos pusimos en la tarea de desensamblartoda la PC para armarla nuevamente. Los dispositivos que se encontraban allí se especifican en el siguiente informe.

INFORME FUENTE DE PODER BOARD
DISPOSITIVOS DE LA FUENTE DE PODER:       Podemos analizar condensadores. 1 transformador de 110 v DVE 90E331201 – 005 1 resistencia DVE 90E 160700 – 001 1 ventilador. 2 condensadores de cerámica. Distintos diodos. 1 sistema de embobinado.Los diodos que se encontraban allí eran 5 los cuales se diferencian por distintos colores los cuales son: 1. 710 ohmios 2. 468 ohmios 3. 730 ohmios 4. 625 ohmios 5. 1891 ohmios amarillo, rojo,azul, morado, marrón. amarillo, morado, marrón, verde. marrón, rojo, amarillo. zapote, rojo. marrón, amarillo, zapote, blanco, rojo. COMPOSICIÓN DE LOS LEDS  LED ROJO: Formado por Gap consiste en unaunión p-n obtenida por el método de crecimiento epitaxial del cristal en su fase líquida, en un substrato. La fuente luminosa está formada por una capa de cristal p junto con un complejo de Zn O, cuyamáxima concentración está limitada, por lo que su luminosidad se satura a altas densidades de corriente. Este tipo de Led funciona con baja densidades de corriente ofreciendo una buena luminosidad,utilizándose como dispositivo de visualización en equipos portátiles. El constituido por GaAsP consiste en una capa p obtenida por difusión de Zn durante el crecimiento de un cristal n de GaAsP,...
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