Informe Ujt

TRANSISTOR UJT

GERMAN LONDOÑO PAEZ DIEGO ARMANDO PADILLA
Cód.: 16100 1615 Cód.: 161001626
HUGO ANDRES MOGOLLON JHON ALVARO REYES
Cód.: 16100 16 Cód.: 16100 1832

Universidad de los Llanos
Facultad de Ciencias Básicas e Ingeniería
Ingeniería Electrónica
Electrónica Industrial

RESUMEN: Transistors are some elements that have facilitated greatly the design of electronic circuitsdue to its small size, versatility and ease of control. They come to replace the old vacuum tubes of a few decades ago. Thanks to them it was possible the construction of portable radio receivers commonly called "transistors.

Before the emergence of transistors, vacuum-tube devices had to work with rather high tensions, took longer than 30 seconds to start working, and in no case could work topiles due to the large consumer had.

PALABRAS CLAVE:
- UJT
- oscilador de relajación

1 INTRODUCCIÓN

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de circuitos electrónicos gracias a su reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control. Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas décadas. Gracias a ellos fue posiblela construcción de receptores de radio portátiles llamados comúnmente "transistores.

Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas tenían que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban más de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningún caso podían funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenían.

2 OBJETIVOS

• Determinar experimentalmente parámetros delUJT.

• Implementar circuitos que permitan comprender el funcionamiento del UJT.

• Diseñar e implementar un oscilador de relajación.

3 MARCO TEORICO

TRANSISTOR UJT:

El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consistede una sola unión PN Físicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones eléctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexión hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unión el aluminio crea una región tipo P en la barra, formando  así una unión PN

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Figura 1 (Símbolo del UJT).
 
 

3.6.1 CARACTERISTICAS

Este dispositivo contiene dos zonas semiconductoras.

Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo quedetermina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.

Cuando el voltaje Veb1 sobrepasa un valor vp de ruptura, el ujt presenta un fenómeno de modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo, esta región se llama región deresistencia negativa, este es un proceso reiterativo, por lo que esta región no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajación.

1 Tipos de transistores.

Existen distintos tipos de transistores, de los cuales la clasificación más aceptada consiste en dividirlos en transistores de bipolares o BJT (Bipolar JunctionTransistor) y transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor). La familia de los transistores de efecto de campo es a su vez bastante amplia, englobando los JFET, MOSFET, MISFET, etc.

4 Transistores bipolares.

Los transistores bipolares surgen de la unión de tres cristales de semiconductor con dopajes diferentes e intercambiados. Se puede tener por tanto transistores PNP o NPN....