Ing automotriz

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Memorias en computadoras automotrices

Clasificación:

1. Memoria “RAM”.- Es una memoria volátil, en la cual se graban los códigos de falla conocidos como DTC.

2. Memoria “ROM”.- Es una memoria no volátil, la misma que sirve para grabar programas.

3. Memoria “E-PROM”.- Es una memoria cuyo borrado y grabado se lo hace eléctricamente.

4.Memoria “PROM”.- Es una memoria cuyo borrado y grabado se lo realiza a través de rayos ultravioletas.

Nota: Las memorias “E-PROM” y “PROM” pueden guardar datos referentes a:

• Características aerodinámicas como la resistencia del vehiculo al viento
• Tiempo de arranque en frío
• Revoluciones por minuto y corte de combustible
• El ángulo de avance al encendido.

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Circuitos Computadoras

1. Fuente.-

La fuente transforma los 12 V provenientes de la batería en voltaje digital es decir un voltaje de 5V para ser utilizado por los diferentes sensores.

Para esto utiliza un circuito de regulación de tensión.

2. Control.- El control digital en memorias varía de 0 a 5 V. Las memorias están compuestas por:

• Circuitosde activación
• Potencia/Drivers

Drivers/Potencia.- Conmutan la activación de los actuadotes pudiendo ser: Transistores así como también Drivers que son grupos de transistores encapsulados.

3. Periferia.- Es un circuito formado por componentes eléctricos que sirven para el accionamiento de señales. Como por ejemplo los divisores de tensión, SMD o componentes de montajesuperficial, diodos de silicio, condensadores, BJT o transistores de juntura bipolar, entre otros.

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Representación de un Driver.- Un Driver se define como un conjunto de transistores que ahorran espacio. Son solo actuadores

Tipos de transistores.-

1. Transistor Bipolar o BJT.- Su característica principal radica en que requiere de 0.7 V para su activación en la base.

2.Transistor Darlington.- Se conectan dos transistores en cascada, manejan valores de 6 amperios.

3. Transistor Mosfet.-Consta de tres partes: drenaje, puerta y fuente. Manejan valores de corriente de 60 a 100 amperios.

4. Transistor IGBJ.- Es la unión de un transistor Mosfet y un transistor BJT.

Representación de circuitos eléctricos de los transistores.-

MOSFET.- Es un transistor deacumulación, depende del voltaje para su activación.

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NPN TRANSISTOR BJT.-Utilizado para bobinas de relés.

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DARLINGTON.- Utiliza un voltaje de conducción que es el doble del que requiere un transistor BJT.
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Probador de transistores.- En esta prueba el que mayor voltaje presente en la medición con el voltímetro será el emisor del transistor.
En transistores Darlingtonel conector del medio es el colector, a su izquierda se encuentra la base y a la derecha esta el emisor.
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Configuración IGBJ.-

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VOLTAJES DE OPERACIÓN.-

1. Voltaje de referencia.- Se puede medir con el voltímetro y el sensor desconectado cuando se trata de dos cables pero si existen 3 o 4 cables el sensor debe estar conectado para realizar la medición, y sus valores puedenser:

• 5 Voltios en los siguientes sensores:
▪ CTS
▪ WTS
▪ ATS
▪ FRP
▪ ATF
▪ TPS
▪ MAP
▪ MAF
▪ CKP
▪ CMP
▪ VSS▪ TP
• 12 voltios en los siguientes sensores:
▪ MAF
▪ CKP
▪ CMP
▪ VSS
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2. Voltaje de señal.-

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3. Tierra.-
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Voltaje referencial en sensores inductivos.-

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Sensor de temperatura del aire “IAT”.-

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