Ingeniero

UNIDAD 4

TRANSISTORES BJT Y JFET

OBJETIVO
Conocer, identificar, resolver y analizar los transistores BJT y JFET, así como
distinguir sus ventajas y desventajas.

TEMARIO
4.1 Construcción del transistor BJT
4.2 Características del transistor BJT
4.3 Operaciones del transistor BJT
4.4 Polarización del transistor BJT
4.5 Polarización del transistor JFET
4.6 Descripción general deltransistor JFET
4.7 Construcción y características del transistor MOSFET
4.8 Polarización del transistor MOSFET

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MAPA CONCEPTUAL
4. TRANSISTORES
BJT Y JFET
Compuesto por:

4.1 CONSTRUCCIÓN
DEL TRANSISTOR
BJT

4.2
CARACTERÍSTICAS
DEL TRANSISTOR
BJT

4.3 OPERACIONES
DEL TRANSISTOR BJT

4.4 POLARIZACIÓN
DEL TRANSISTOR
BJT

4.5 POLARIZACIÓN
DEL TRANSISTOR
JFET

4.6DESCRIPCIÓN
GENERAL DEL
TRANSISTOR JFET

4.7 CONSTRUCCIÓN
Y CARACTERÍSTICAS
DEL TRANSISTOR
MOSFET

4.8 POLARIZACIÓN DEL
TRANSISTOR MOSFET

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INTRODUCCIÓN
El transistor es un dispositivo que ha originado una gran transformación en el
campo de la electrónica y en todos los contextos de la vida humana.
Los transistores son dispositivos electrónicos integrados por tres cristalessemiconductores, con tres terminales, una terminal es la de la base, otra es la
del emisor, y una última es el colector; estas tres terminales se simbolizan con
las letras mayúsculas: E, B y C, respectivamente.


Funcionamiento del transistor como interruptor:
Para que el transistor funcione como un interruptor o switch, se deben
cumplir ciertas situaciones de operación, las más importantesson las de
corte y saturación. En situación de corte, la corriente de colector
simbolizada Ic debe tener un valor mínimo y la tensión entre el colector y
el emisor debe tener un valor máximo. El transistor en situación de
saturación también debe cumplir ciertas características como son una
corriente de colector, simbolizada Ic con un valor máximo, y una tensión
entre el colector y el emisormínimo o de cero volts.



Funcionamiento del transistor como amplificador:
La amplificación de una señal de corriente alterna en la entrada del
circuito dependerá del tipo de funcionamiento del amplificador, que
puede ser de corriente o de voltaje. Para ello, el transistor se puede
utilizar como dos diodos, uno formado por la base y el emisor que se
polariza en forma directa; y otroformado por la base y el colector que se
polariza en forma inversa, con ello tendremos una tensión de 0.7 V entre
base y emisor si es de silicio, y de 0.4 V si es de germanio.

El transistor ha conducido a muchos otros descubrimientos basados en
semiconductores, incorporado al circuito integrado (CI), que es un diminuto
dispositivo que contiene miles de transistores miniaturizados. Debido a los95

circuitos integrados son posibles las computadoras modernas y todos los
implementos de tecnología en materia de telecomunicaciones vía satelital.
Existen dos tipos de dispositivos con esta denominación: el transistor de efecto
de campo y el transistor de unión bipolar.
En esta unidad, se abordarán las principales características del transistor
bipolar BJT y FET, además se estudiaránlos modelos básicos de estos
dispositivos y su utilización; así como su análisis en los diferentes circuitos
electrónicos y su polarización.

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4.1CONSTRUCCIÓN DEL TRANSISTOR BJT
El transistor es un dispositivo semiconductor integrado por tres capas
previamente construidas de material semiconductor; dos capas son de material
tipo N y una capa tipo P, o pueden ser dos capas de materialtipo P y una de
tipo N. Al primero se le denomina transistor NPN, y al segundo se le conoce
como transistor PNP.
El dopado de la capa central denominada base es mucho menor que el
dopado de las capas exteriores conocidas como emisor y colector (casi siempre
10:1 o menos). Este bajo nivel de dopado reduce la conductividad
(incrementando la resistencia) de este material al limitar el número...