INTRO C

PROCESAMIENTO DE CIRCUITOS INTEGRADOS
INTRODUCCION
Un circuito integrado (CI) es una serie de dispositivos electrónicos, como transistores, diodos y resistores, que se han fabricado e interconectado de manera eléctrica en una pequeña pastilla (chip) plana de material semiconductor. El CI se inventó en 1959 y ha sido objeto de desarrollo continuo desde entonces. El silicio (Si) es el materialsemiconductor que más se utiliza para los CI, debido a su combinación de propiedades y bajo costo. Es menos común el uso de pastillas semiconductoras con germanio (Ge) y arseniuro de galio (GaAs). Como los circuitos se fabrican de una pieza única de material sólido, se utiliza el término electrónico de estado sólido para hacer referencia a estos dispositivos.
El aspecto más fascinante de latecnología microelectrónica es el gran número de dispositivos que pueden encapsularse en una sola pastilla pequeña. Se han creado varios términos para definir el nivel de integración y la densidad del encapsulado, como la integración a gran escala y la integración a escala muy grande por sus siglas en inglés, LSI y VLSI, respectivamente
PANORAMA DEL PROCESAMIENTO DE CI.
Estructuralmente, un circuitointegrado consiste en cientos, miles o millones de dispositivos electrónicos microscópicos que se han fabricado e interconectado eléctricamente dentro de la superficie de una pastilla de silicio.
Un chip, también llamado dado, es una placa plana rectangular o cuadrada que tiene un espesor aproximado de 0.5 mm (0.020 in) y, por lo general, entre 5 y 25 mm (0.200 y 1.0 in) por lado. Cada dispositivoelectrónico (es decir, transistor, diodo, etcétera) que se encuentra en la superficie del chip consiste en capas y regiones separadas con propiedades eléctricas diferentes, que se combinan para realizar la función particular del dispositivo.
También se proporcionan líneas de conducción y almohadillas para conectar eléctricamente el CI a las terminales, las cuales a su vez permiten que el CI seconecte a circuitos externos. Con el fin de permitir que el CI se conecte al mundo exterior y se proteja de cualquier daño, el chip se conecta a una estructura de terminales y se encapsula en forma adecuada. Por lo general, el encapsulado se hace de cerámica o plástico, los cuales proporcionan protección mecánica y ambiental para el chip e incluye terminales mediante las cuales el CI se conectaeléctricamente a circuitos externos. Las terminales se encuentran conectadas a las almohadillas conductoras del chip, las cuales tienen acceso al CI.
SECUENCIA DEL PROCESAMIENTO
La secuencia para fabricar las pastillas de CI basadas en silicio comienza con el procesamiento del mismo. En breve, el silicio con una pureza muy alta se reduce en varios pasos a partir de arena (dióxido de silicio, SiO2). Elsilicio se acumula a partir de un material fundido hasta obtener un solo cristal sólido y grande, con una longitud típica de entre 1 y 3 m (3 y 10 ft) y un diámetro de hasta 300 mm (12 in). Este monocristal, llamado boule, se rebana en obleas delgadas, las cuales son discos de un espesor igual a 0.5 mm (0.020 in) aproximadamente.
Después de una limpieza y un acabado adecuados, las obleas están listaspara la secuencia de procesos mediante las cuales se crearán en su superficie varias características microscópicas de diversas químicas para formar los dispositivos electrónicos y sus intraconexiones. La secuencia consiste en varios tipos de procesos; la mayoría de ellos se repite muchas veces. Para producir un CI moderno, puede requerirse un total de 200 pasos. Básicamente, el objetivo de cadapaso es agregar, alterar o remover una capa de material en las regiones seleccionadas de la superficie de la oblea. A los pasos para formar estas capas en la fabricación de un CI algunas veces se les denomina proceso planar, debido a que el procesamiento confía en que la forma geométrica de la oblea de silicio sea un plano.

Los procesos mediante los cuales se agregan las capas incluyen técnicas...