JFET

JFET

TRANSISTOR FET (Introducción).
Los transistores más conocidos son los
llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así
porque la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones pero tienen ciertos
inconvenientes, entre los que se encuentra su
impedanciade entrada bastante baja.

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Existen unos dispositivos que
eliminan este inconveniente en
particular y que pertenece a la
familia de dispositivos en los que
existe un solo tipo de portador de
cargas, y por tanto, son unipolares.
Se llama transistor de efecto
campo

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2) Explicación de la combinación de
portadores.
Puesto que hay una tensión positiva
entre el drenador y elsurtidor, los electrones
fluirán desde el surtidor al drenador (o
viceversa según la configuración del mismo),
aunque hay que notar que también fluye una
corriente despreciable entre el surtidor (o
drenador) y la puerta, ya que el diodo
formado por la unión canal – puerta, esta
polarizado inversamente.

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En el caso de un diodo polarizado en sentido
inverso, donde inicialmente loshuecos fluyen
hacia la terminal negativa de la batería y los
electrones del material N, fluyen hacia el
terminal positivo de la misma.
Lo anteriormente dicho se puede
aplicar al transistor FET, en donde,
cuando se aumenta VDS aumenta una
región con empobrecimiento de cargas
libres

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Cuando seleccionamos un transistor
tendremos que conocer el tipo de
encapsulado, así comoel esquema de
identificación de los terminales.
También tendremos que conocer una
serie de valores máximos de tensiones,
corrientes y potencias que no debemos
sobrepasar para no destruir el
dispositivo

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El parámetro de la potencia disipada por el
transistor es especialmente crítico con la
temperatura, de modo que esta potencia
decrece a medida que aumenta el valor de latemperatura, siendo a veces necesaria la
instalación de un radiador o aleta
refrigeradora. Todos estos valores críticos los
proporcionan los fabricantes en las hojas de
características de los distintos dispositivos
.

.

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3) Explicación de sus elementos o terminales.
Un transistor de efecto campo (FET)
típico está formado por una barrita de
material p ó n, llamada canal, rodeada enparte de su longitud por un collar del
otro tipo de material que forma con el
canal
una
unión
p-n.
En los extremos del canal se hacen
sendas conexiones óhmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y
fuente (s-source), más una conexión
llamada puerta (g-gate) en el collar

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La figura muestra el croquis de un FET con canal

N

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Símbolos gráficos para un FET decanal N

JFET

Símbolos gráficos para un FET de canal P

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Fundamento de transistores de
efecto de campo:
Los transistores son tres zonas
semiconductoras juntas dopadas
alternativamente
con
purezas
donadoras
o
aceptadoras
de
electrones.
Su estructura y representación se
muestran en la tabla
.

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Modelo de transistor FET canal n

Modelo de transistor FET canal pJFET
Las uniones Puerta-Drenador y la SurtidorPuerta están polarizadas en inversa de tal forma
que no existe otra corriente que la inversa de
saturación
de
la
unión
PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la
amplitud de la zona de deplexión afecta a la
longitud efectiva del canal. La longitud de la
zona de deplexión y depende de la tensión
inversa (tensión de puerta).JFET

Zonas de funcionamiento del
transistor de efecto de campo (FET):
•ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el
transistor se comporta como una resistencia variable
dependiente del valor de VGS. Un parámetro que
aporta el fabricante es la resistencia que presenta el
dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de
VGS.
•ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el
transistor...