Lab de transitores de efecto de campo

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

OBJETIVO:

Estudiar en forma experimental el transistor de efecto de campo (FET), su funcionamiento, configuraciones y limitaciones.

PARTE EXPERIMENTAL:

* Ajustar VGS a 0. Variar VDD para ir consiguiente las lecturas de VDS: 0, 0.5, 1 ,1.5 ,2 ,2.5 ,3 ,3.5, 4 ,6 ,8 ,12 ,14 y 16 y los correspodientes valores de ID.

* Ajustar VGS a -0.5 V y repetirel punto anterior, repetir para los valores restantes de VGS.

MONTAJE PARA OBTENER LAS CURVAS DE DRENADOR

CUESTIONARIO:
1.- Presentar las mediciones efectuadas en el circuito.
| VGS=0 | VGS=-0.5 | VGS=-1 | VGS=-2 |
VDS(V) | ID(mA) | ID(mA) | ID(mA) | ID(mA) |
0 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.000 |
0.5 | 2.13 | 1.67 | 1.10 | 0.104 |
1 | 4.00 | 2.80 | 1.73 | 0.106 |
1.5 | 5.05 | 3.44 |1.89 | 0.107 |
2 | 5.71 | 3.61 | 1.90 | 0.108 |
2.5 | 5.90 | 3.65 | 1.93 | 0.110 |
3 | 5.97 | 3.69 | 1.95 | 0.111 |
3.5 | 6.02 | 3.73 | 1.97 | 0.112 |
4 | 6.09 | 3.77 | 1.99 | 0.114 |
6 | 6.33 | 3.93 | 2.07 | 0.119 |
8 | 6.57 | 4.08 | 2.16 | 0.124 |
12 | 7.08 | 4.40 | 2.35 | 0.135 |
14 | 7.31 | 4.53 | 2.43 | 0.140 |
16 | 7.55 | 4.70 | 2.49 | 0.145 |

Estos datos se obtuvierona traves de simulaciones mediante el uso del software MULTISIM.
2.-Dibujar las rectas de carga a partir de las tablas llenadas, en una sola hoja para poder hacer las comparaciones.

3.-Explicar los puntos Q obtenidos y las variaciones de las recas de carga DC.
Obtenemos 4 rectas de carga y puntos Q para los valores de VGS determinados, se puede apreciar como a partir de un valor aproximado deVGS=-2.5 V la corriente ID se hace cero por lo que tomamos este valor como de VGS como nuestro VP del transistor utilizado.
4.-Como funciona un JFET, incluyendo en su explicacion la tension de estrangulamiento y la tension de corte puerta-fuente.
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un dispositivo electrónico, esto es, uncircuito que, según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplificadefiniendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.
Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre sí (puerta). Al aplicar una tensiónpositiva VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusión. Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusión se extienden hasta tal punto que el paso de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET"canal N" las zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son negativas, cortándose la corriente para tensiones menores que Vp.
Así, según el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones negativas mayores que Vp (puesto que Vp es también negativa) y una zona de corte para tensiones menores que Vp. Los distintos valores de la ID en función de la VGS vienen dados por unagráfica o ecuación denominada ecuación de entrada.
En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dará una salida en el circuito que viene definida por la propia ID y la tensión entre el drenador y la fuente VDS. A la gráfica o ecuación que relaciona estás dos variables se le denomina ecuación de salida, y en ella es donde se distinguen las dos zonas de funcionamiento de...