Transitores De Efecto De Campo

Transitores de efecto de campo.
Se trata de transistores unipolares, es decir, que solo trabajan con un tipo de portadores, al contrario de los transistores estudiados hasta ahora, los cualestrabajaban con dos tipos deportadores, electrones y huecos. Estos transistores sel llaman de efecto de campo porque el control de la corriente se ejerce mediante la influencia de un campo eléctricoexterior.
Estos transistores son de dos tipos:
- FET o JFET (Junction Field Effect Transistor).
- MOST o MOSFET o IGFET (Metal Oxide Semiconductorñ Transistor o Insulated Gate Field Effect Transistor).
Vamosa centrar el contenido de esta práctica en el JFET o FET de unión (Junction Field Effect Transistor)
Composición
El transistor de efecto de campo está compuesto por una barra de semiconductor de tipoN (ó P) en la que se difunden dos áreas de semiconductor tipo P (ó N), por lo que el FET tendría cuatro terminales, el drenador, que es uno de los extremos de la barra desemiconductor tipo N,el surtidor, que es el otro extremo del mismo, y dos puertas, que serías las dos áreas de semiconductor tipo P difundias en la barra del semiconductor tipo N. Esto es un FET de doble puerta, aunque normalmentelas dos puertas de éste van unidas.
El fet tiene una región N y dos regiones P, por lo que podemos referir las uniones entre estas como diodo puerta-surtidor y diodo puerta-drenador.
Los FETS tienenbastante similitud con los transistores bipolares, por lo que haremos una comparación de los terminales del JFET con los del transistor unipolar.
Transistor bipolar JFET
Emisor Surtidor
Base PuertaColector Drenador
Debido a estas similitudes, muchas de las fórmulas del JFET son parecidas o iguales a las del transitor bipolar. Para ello cambiaremos los subíndices entre el transistor bipolar y elJFET.
Transistor bipolar JFET
E S (SURTIDOR)
B G (PUERTA)
C D (DRENADOR)
Polarización del JFET.
En un transistor bipolar, polarizamos directamente el diodo base-emisor, pero en un JFET, el diodo...