lab potencia

PRÁCTICAS DEL LABORATORIO

DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

I

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA I
PRACTICA 1
“CARACTERIZACIÓN DE LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA”

OBJETIVOS:
1. Determinar las características v-i de los siguientes semiconductores de potencia:
a.
b.
c.
d.
e.
f.

Díodo
Rectificador de silicio controlado SCR
Tiristor bidireccional TRIAC
Transistor de potenciade unión bipolar NPN
Transistor de potencia de efecto de campo canal n MOSFET
Transistor bipolar de compuerta aislada IGBT

2. Determinar las características de control en CD y en CA de:
a. Rectificador de silicio controlado
b. Tiristor bidireccional
c. Transistor de efecto de campo

ANÁLISIS PRELIMINAR:
Estudiar los siguientes temas:
1. Características de los dispositivossemiconductores de potencia (Datasheet,
identificación de terminales, interpretación de valores nominales)
2. Características de control de los dispositivos semiconductores de potencia.
3. Circuitos básicos de control del SCR, TRIAC y MOSFET canal n.
4. Tiempo de recuperación inversa del díodo.

PLANIFICACIÓN:
1. Elegir los valores nominales y adquirir los siguientes semiconductores:
a.
b.
c.
d.
e.f.

SCR
TRIAC
BJT (NPN)
MOSFET (canal n)
Díodo.
IGBT

2. Interpretar la data-sheet de cada semiconductor

3. Diseñar los circuitos en CC y CA de ser posible para determinar las
características v-i de los siguientes semiconductores.
a.
b.
c.
d.

SCR
TRIAC
BJT (NPN)
MOSFET canal n

4. Diseñar los circuitos para determinar las características de control de los
siguientessemiconductores:
a. SCR
b. TRIAC
c. BJT (NPN)
d. MOSFET canal n
Para determinar las características en corriente alterna utilizar el transformador
de 120/12 V
5. Diseñar un circuito para medir el tiempo de recuperación inversa de un díodo
1N5408. Utilizar un generador de funciones, con una tensión de alimentación
de +10/0V y +10/-2V.
EJECUCIÓN:
1.

Armar los circuitos diseñados paradeterminar las características v-i de los
semiconductores especificados y realizar las mediciones requeridas por el
procedimiento seleccionado.

2.

Armar los circuitos diseñados para determinar las características de control de
los semiconductores especificados y realizar las mediciones requeridas por el
procedimiento seleccionado.

EVALUACIÓN:
1.
2.

3.

Representar para cada uno delos semiconductores el voltaje de control vs
tiempo y el voltaje controlado vs t.
¿Cómo identificar los terminales de un SCR si no se consigue el datasheet?¿Cómo determinar si un SCR está o no dañado?
Comparar el tiempo de recuperación inversa determinado experimentalmente y
el especificado en el data-sheet. ¿Cómo influye en el experimento del tiempo de
recuperación inversa el que la señalde la fuente tenga una componente
negativa?¿Como afecta el desempeño del díodo el fenómeno de recuperación
inversa?

CONCLUSIONES

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA 1
PRACTICA 2
“CARACTERIZACIÓN DE COMPONENTES PASIVOS DE LA E.P.”

OBJETIVOS:
1. Determinar el modelo circuital para alta frecuencia (1KHz) de
a. Un capacitor electrolítico
b. Un capacitor de poliestireno
2.Determinar el modelo circuital para baja frecuencia(100hz) de
a. Un inductor con núcleo de acero al silicio

3. Obtener la curva de histéresis del núcleo de acero al silicio del inductor.
4. Determinar el modelo circuital para alta frecuencia (1Khz)de
a. Un resistor de película
b. Un resistor de potencia
5. Verificar el comportamiento de un transformador de pulsos con núcleo de
ferrita, a altafrecuencia(1 Khz).
6. Verificar el comportamiento de un transformador a baja frecuencia(100hz).
ANÁLISIS PRELIMINAR
Estudiar los siguientes temas:
1. Tipos y circuitos equivalentes de los capacitores a alta frecuencia.
2. Tipos y circuitos equivalentes de los inductores a baja frecuencia.
3. Tipos y circuitos equivalentes de los resistores a alta frecuencia.
4. Curva de histéresis de un...