Laboratorio 1 de Microelectrónica

MICROELECTRÓNICA
LABORATORIO Nº 1

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2

EL PRIMER LABORATORIO ES INDIVIDUAL

INFORME PREVIO
Resolver las preguntas planteadas (1-4) y que serán REVISADAS junto con el Informe Final.Enviar por e-mail (ralarconm@unmsm.edu.pe, ramatutti@gmail.com) el Informe Previo en
formato word, NO es necesario imprimir, máximo 20 hojas y adjuntar los archivos MSK.
1) Presentar en laboratorio elLAYOUT realizado del inversor (inv.msk). Considerar para
el layout el esquema de la Fig. A y la Fig. B del diagrama de barras (STICK). Tratar de
conseguir un layout de dimensiones mínimas.
2) Parael LAYOUT del inversor , hallar las dimensiones (W/L) de los transistores, la
frecuencia MÁXIMA de operación y dar respuesta escrita a todas las interrogantes de la
guía que están arriba planteadas.En laboratorio pide responder dichas preguntas.
3) Extraer la descripción CIR (Spice) y la descripción CIF (Caltech Intermediate Form)
del inversor. En cada caso, establecer las reglas principalesde sintaxis y describir sus
contenidos. Buscar en Internet la información necesaria.
4) Para circuitos digitales CMOS mostrados en las Figuras 1, 2,3. Analizar y determinar la
función lógica desalida de los circuitos. Presentar el LAYOUT (manual) como mínimo
de DOS de ellos y corroborar su función lógica mediante simulación. Medir el ÁREA del
layout y hallar la frecuencia MÁXIMA deoperación.

INFORME FINAL
Se revisara en computador cada LAYOUT realizado por el alumno junto con el Informe Final
impreso (mostrando los Layout realizados), máximo 10 hojas.
Usar CMOS 0.25 micras ó CMOS0.12 micras. Fuente de tensión: 5V ó 2.5V.
IMPORTANTE:
El Informe Final impreso debe ser entregado al INICIO del laboratorio para proceder a su
revisión. Esta prohibido copiar las respuestas y/o losLayout.

3

GND

Out
In

V DD

FIG. B DIAGRAMA DE BARRAS (STICK)

FIG. A LAYOUT DEL INVERSOR CMOS

4

S

In2
/S

F

In1
S
S

S

S

S

F

VDD

GND

In1...