Memoria Flash Tipo Nor

En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prácticamente anulan) el
campo eléctrico que generaría CG encaso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda está a 1 ó a 0, el
campo eléctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se leela celda poniendo un determinado voltaje en CG, la
corriente eléctrica fluye o no en función del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausenciade corriente se
detecta e interpreta como un 1 ó un 0, reproduciendo así el dato almacenado. En los dispositivos de celda
multi-nivel, se detecta laintensidad de la corriente para controlar el número de electrones almacenados en FG e
interpretarlos adecuadamente.
Para programar una celda de tipoNOR (asignar un valor determinado) se permite el paso de la corriente desde el
terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG unvoltaje alto para absorber los electrones y
retenerlos en el campo eléctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrón injection.
Es necesariodestacar que las memorias flash están subdivididas en bloques (en ocasiones llamados sectores) y por lo
tanto, para el borrado, se limpian bloques enterospara agilizar el proceso, ya que es la parte más lenta del proceso.
Por esta razón, las memorias flash son mucho más rápidas que las EEPROMconvencionales, ya que borran byte a
byte. No obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para después reescribir su
contenido.