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ÁREA DE MATERIALES ELECTRÓNICOS.

• Dispositivos Electrónicos
• Fundamentos de Magnetismo
• Materiales Desordenados
• Nanotecnología y Nanomateriales
• Óptica de Semiconductores
• Propiedades electrónicas de materiales
• Propiedades magnéticas de materiales
• Semiconductores
• Superconductividad

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
8CRÉDITOS

OBJETIVOS
Dar al alumno un panorama general del desarrollo de la tecnología electrónica desde sus inicios, su estado actual y las tendencias a futuro. También se pretende que el alumno adquiera un entendimiento de la física y la tecnología de los dispositivos electrónicos; es decir, que comprenda la estrecha relación que hay entre las técnicas de preparación de materiales en volumen y enpelícula delgada y las propiedades y el desempeño de estos materiales dentro de un dispositivo electrónico.

TEMARIO
1. Introducción (4 horas)
1.1. Reseña histórica de dispositivos de estado sólido
1.2. Tipos y clasificación de dispositivos de estado sólido
1.3. Tendencias detecnologías modernas

2. Tecnología de crecimiento de cristales y preparación de substratos (8 horas)
2.1. Producción de silicio y de otros semiconductores grado electrónico
2.2. Método Czochralsky. Control de estructura, pureza y defectos
2.3. Método de Bridgman
2.4. Otros métodos de crecimiento de cristales
2.5. Corte, pulido y limpieza de obleas yotros substratos

3. Tecnología de preparación películas delgadas semiconductoras y aislantes (20 horas)
3.1. Importancia de las películas delgadas
3.2. Teoría sobre el proceso de crecimiento de películas delgadas
3.3. Procesos de epitaxia. Epitaxia en fase líquida (LPE) y epitaxia en fase vapor (VPE)
3.4. Técnicas PVD. Epitaxia de haz molecular (MBE) y de haz de iones(IBE), evaporación térmica y con haz de electrones, erosión catódica, ablación láser
3.5. Técnicas CVD. CVD térmico, CVD asistido por plasma directo (PECVD) y remoto (RPECVD)
3.6. Técnicas de rocío pirolítico
3.7. Otras técnicas
3.8. Preparación de aislantes en película delgada, dióxido de silicio, nitruro de silicio

4. Metalización(12 horas)
4.1 Preparación de contactos metálicos por evaporación térmica, con haz de electrones y con haz de iones, erosión catódica, ablación láser
4.2. Mascarillas y fotolitografía
4.3. Contactos conductores transparentes

5. Preparación y funcionamiento de dispositivos optoelectrónicos(20 horas)
5.1. Sensores térmicos y fotodetectores
5.2. Puntas Hall para medir campos magnéticos
5.3. Diodos rectificadores y diodos emisores de luz. Láseres de estado sólido
5.4. Transistores bipolares y de efecto campo
5.5. Celdas solares
5.6. Estructuras electroluminiscentes
5.7. Intercambiadores de calor
5.8. Guías de ondas
5.9. Circuitosintegrados. Tecnologías VLSI y LTLSI
5.10. Nuevos materiales y aplicaciones. Silicio poroso, pozos cuánticos, puntos cuánticos, nanoestructuras

BIBLIOGRAFÍA
1. Sze S.M., VLSI technology, McGraw- Hill, 1988.
1. Chopra and Kaur1, Thin Film Device Applications, Plenum Press, N.Y., 1983.
1. Sze S.M., Semiconductor Devices Physics and Technology, John Wiley & Sons, 1985.
1. Sze S.M., Physics ofSemiconductor Devices, 2nd. Edition, John Wiley & Sons, 1981.
5. Colclaser R. A. and Diehl-Nagle S., Materials and Devices for Electrical Engineers and Physicists, McGraw-Hill Book Co., N.Y., 1985.
6. Baklanov M., Maex K., and Green M. Dielectric Films for Advanced Microelectronics, Wiley Series in Materials for Electronic & Optoelectronic Applications, 2007.
7. Green M. A., Third Generation...