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Páginas: 29 (7031 palabras) Publicado: 27 de enero de 2014
Amplificador de Trans-impedancia para aplicaciones de plasma, AARC TZAP-111


El Amplificador de Trans-impedancia (TZA) es un convertidor de corriente activa a voltaje. Es superior al esquema de un resistor pasivo común, debido a que su realimentación mediante amplificador operacional elimina perturbaciones en el circuito. El TZAP-111 de Ad Astra también provee:
Aislamiento eléctrico
8niveles de ganancia seleccionables remotamente
Salida diferencial
Aplicaciones
El TZAP-111 es ideal para aplicaciones que requieren un acoplado de corriente directa, con mediciones poco invasivas y una intensidad de corriente menor a 1 amperio. Las siguientes difíciles características del sistema son fácilmente mitigadas por el TZAP-111:
Voltajes de modo común
Peligrosos trasientes de voltajeRuido de alta frecuencia
Requerimientos de rango de alta dinámica
Lo indicado anteriormente, son aspectos comunes de los sistemas de medición de plasma. A continuación enumeramos algunos ejemplos de sondas de plasma donde se ha usado exitosamente el TZAP-111:
Sondas de Langmuir individuales
Sondas de Langmuir dobles
Colectores de analizadores de potencial retardado (RPA)
Precio
Contáctenospara una estimación
Descargar la hoja de especificaciones del TZAP-111
Entrada
Valor
Unidad
Corriente (Is)


Mínimo
1
nA
Máximo
1
A
Voltaje en modo comun


Máximo
800
V dc
Fuente de poder aislada


Voltaje
±15
V
Corriente
10 + Is
mA
Fuente de poder no-aislada


Voltaje
±15
V
Corriente
40
mA
Fuente selectora de Ganancia


Voltaje
2
V



SalidaValor
Unidad
Voltaje


Máximo
15
V pk
Ancho de banda


Mínimo
10
Hz
Máximo
50
kHz
Ganancia


Mínimo
20
dB
Máximo
185
dB
# de niveles discretos
8


Amplificador de Transimpedancia BiCMOS para Sistemas de Comunicaciones en Altas Frecuencias
BiCMOS Transimpedance Amplifier for Communication Systems at High Frequencies
J. Martínez-Castillo (1), A. Díaz-Sánchez (2) y A.Torres-Jácome (2)
(1) Universidad Veracruzana, Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología,
Calzada Adolfo Ruiz Cortines # 455, Fraccionamiento Costa Verde, 94294 Boca del Río, Veracruz-México
(2) Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica,
Luis Enrique Erro # 1. Sta. María Tonantzintla, 72840 Cholula, Puebla-México (e-mail: adiazsan@inaoep.mx)

Resumen
Se presenta unpreamplificador de transimpedancia en tecnología bipolar (BJT), para aplicaciones en sistemas de comunicaciones vía fibra óptica. La topología propuesta está basada en la estructura base común, aplicando el concepto de retroalimentación negativa con el fin de maximizar el ancho de banda del circuito. Se alcanza un ancho de banda de 5.42 GHz llevando a cabo una reducción importante del nivel deruido. Productos de Intermodulación de 50 dB fueron obtenidos por debajo de la señal portadora principal. Las simulaciones fueron realizadas en el programa HSPICE utilizando los procesos tecnológicos de fabricación AMS BiCMOS 0.8 mm. La estructura de amplificador de transimpedancia presentado mostró un mejor desempeño, aumentando el ancho de banda, minimizando el nivel de ruido y mejorando elrendimiento en intervalo dinámico.

Abstract
A BJT transimpedance preamplifier suitable for fiber optics applications is presented. The proposed topology is based on a common-base structure, applying negative feedback in order to increase the bandwidth of the circuit. A bandwidth of 5.42 GHz is reached using the topology, also achieving an important reduction in noise level. Intermodulationproducts of 50 dB below the carrier signal were obtained. Simulations were performed in the HSPICE program using a 0.8 mm AMS BiCMOS process. The structure of the transimpedance amplifier presented showed better performance, as well as increasing the band width, minimizing the noise level, and improving the yield in the dynamic interval.
Keywords: communications, fiber optics, current amplifier, high...
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