mosfets
Páginas: 3 (611 palabras)
Publicado: 17 de febrero de 2015
Los MOSFET’s
Son dispositivos que se disparan por voltaje
La Gate proporciona una impedancia de entrada muy alta, por lo
tanto las corrientes de gate son muy bajas.
Son dispositivos rápidos,pueden operar a frecuencias mayores
de 200Khz.
Posee una resistencia interna “RDS” baja.
La corriente máxima de operación, se define por la rapidez con
la cual el elemento se enfría.
La tensión enun Mosfet se limita alrededor de los 1000V, ya que
la resistencia dinámica RDS aumenta su disipación con el voltaje.
La caída de tensión depende de RDS(ON) y puede ser baja a bajo
flujo decorriente
La RDS(ON) se especifica a 25°C. RDS(ON) @ 100°C = 1.7 x RDS(ON) @
25°C
Los MOSFET’s
Son dispositivos que se disparan por voltaje
La Gate proporciona una impedancia de entrada muy alta, porlo
tanto las corrientes de gate son muy bajas.
Son dispositivos rápidos, pueden operar a frecuencias mayores
de 200Khz.
Posee una resistencia interna “RDS” baja.
La corriente máxima deoperación, se define por la rapidez con
la cual el elemento se enfría.
La tensión en un Mosfet se limita alrededor de los 1000V, ya que
la resistencia dinámica RDS aumenta su disipación con el voltaje.
Lacaída de tensión depende de RDS(ON) y puede ser baja a bajo
flujo de corriente
La RDS(ON) se especifica a 25°C. RDS(ON) @ 100°C = 1.7 x RDS(ON) @
25°C
Los MOSFET’s
Requerimientos del driver:Requiere un nivel de voltaje en la Gate para pasar a
conducción y necesita que este se mantenga para estar
en este estado.
El circuito de Gate no genera consumo de energía
El Mosfet se apagarápidamente cuando su tensión de
Gate cae a cero. La presencia de la capacitancia entre
Gate y Source mantiene en dispositivo en “ON”, por lo
que la carga de este elemento debe ser removidarápidamente.
La rapidez de operación del dispositivo depende mucho
de la rapidez con la cual se remueve la energía de la
capacitancia en su Gate.
El tiempo de caída, dependiendo del driver puede ser...
Son dispositivos que se disparan por voltaje
La Gate proporciona una impedancia de entrada muy alta, por lo
tanto las corrientes de gate son muy bajas.
Son dispositivos rápidos,pueden operar a frecuencias mayores
de 200Khz.
Posee una resistencia interna “RDS” baja.
La corriente máxima de operación, se define por la rapidez con
la cual el elemento se enfría.
La tensión enun Mosfet se limita alrededor de los 1000V, ya que
la resistencia dinámica RDS aumenta su disipación con el voltaje.
La caída de tensión depende de RDS(ON) y puede ser baja a bajo
flujo decorriente
La RDS(ON) se especifica a 25°C. RDS(ON) @ 100°C = 1.7 x RDS(ON) @
25°C
Los MOSFET’s
Son dispositivos que se disparan por voltaje
La Gate proporciona una impedancia de entrada muy alta, porlo
tanto las corrientes de gate son muy bajas.
Son dispositivos rápidos, pueden operar a frecuencias mayores
de 200Khz.
Posee una resistencia interna “RDS” baja.
La corriente máxima deoperación, se define por la rapidez con
la cual el elemento se enfría.
La tensión en un Mosfet se limita alrededor de los 1000V, ya que
la resistencia dinámica RDS aumenta su disipación con el voltaje.
Lacaída de tensión depende de RDS(ON) y puede ser baja a bajo
flujo de corriente
La RDS(ON) se especifica a 25°C. RDS(ON) @ 100°C = 1.7 x RDS(ON) @
25°C
Los MOSFET’s
Requerimientos del driver:Requiere un nivel de voltaje en la Gate para pasar a
conducción y necesita que este se mantenga para estar
en este estado.
El circuito de Gate no genera consumo de energía
El Mosfet se apagarápidamente cuando su tensión de
Gate cae a cero. La presencia de la capacitancia entre
Gate y Source mantiene en dispositivo en “ON”, por lo
que la carga de este elemento debe ser removidarápidamente.
La rapidez de operación del dispositivo depende mucho
de la rapidez con la cual se remueve la energía de la
capacitancia en su Gate.
El tiempo de caída, dependiendo del driver puede ser...
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