motor

Microondas. Osciladores Gunn
AUTOR: Diego Alvarado. 2005-02-14 ACCESO: 29 DE AGOSTO DE 2011.
UNIVERSIDAD TECNICA PARTICULAR DE LOJA. ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES

INTRODUCCIÓN.
La generación de frecuencias para el rango de microondas se puede realizar de varias maneras, siendo las mas comunes el uso del Klystron, Magnetrón, sobre todo en aplicaciones de grandes potencias, para otrosfines lo mas común es el uso de dispositivos de estado sólido como los transistores de efecto de campo de AsGa y diodos Gunn, sobretodo por su tamaño pequeño y bajo consumo.
En el presente trabajo, explicare acerca de los principios y el funcionamiento del oscilador Gunn, el mismo que se basa en el diodo Gunn, y por ende en el efecto que lleva el mismo nombre. En la primera sección, explicaré unpoco de las propiedades de la configuración atómica de algunos materiales dieléctricos como el Galio(Ga) y el Arsénico(As), los mismos que se utilizan para aplicaciones de semiconductores como transistores. Posteriormente pasaremos a revisar conceptos básicos referentes al diodo Gunn, así como a algunas de sus características, para desarrollar el tema relacionado al efecto Gunn, que es la basedel oscilador Gunn. Finalmente se verá algunas de las configuraciones típicas para la obtención de un oscilador Gunn dentro de cavidades resonantes.
MARCO TEORICO
Configuración Atómica de algunos semiconductores
Al iniciar esta sección es importante mencionar que los tres semiconductores mas utilizados dentro de la electrónica son; Silicio, Germanio y Galio, debido a ciertas peculiaridades de suestructura. Para ejemplificar esto vamos a tomar como base el Silicio, el mismo que posee una estructura cristalina tridimensional repetitiva en forma de tetraedro, como lo indica la figura 1.

Si:14 (4)***
*** el número 14 señala que el átomo posee 14 electrones, de los cuales 4 son de valencia, es decir ocupan la última banda de energía.
Un buen dieléctrico tiene la propiedad de que losátomo se asocian compartiendo, cediendo o aceptando electrones, de otros átomos para completar los 8 electrones de su nivel más externo (en el aso del silicio le hace falta 4 electrones).
Se da un enlace covalente cuando dos átomos comparten varios electrones, para completar los 8 en su ultima capa, con esto no se producen iones, aquí es en donde entran en acción los electrones de valencia ya quesirven como vinculo entre un átomo y el siguiente, dando como resultado que se encuentran ligados fuertemente al núcleo. En un material conductor hay disponibilidad de electrones de valencia, y a pesar de que en el silicio también la hay (4 electrones), es poco probable de que ellos queden libres para producir la conducción por lo ya señalado. Generalmente a temperaturas bajas este tipo de cristalesse vuelven buenos semiconductores, ya que al no haber energía térmica, los electrones no pueden romper el enlace, pero a temperaturas ambiente la energía térmica en considerable, brindándoles así la energía necesaria para que algunos de los enlaces se rompan, y se produzca una pequeña corriente, por esta razón este tipo de materiales se denominan semiconductores. Cada electrón que ha roto un enlacey que esta libre para moverse dentro del cristal, al liberarse genera un hueco.
Para ver el gráfico seleccione la opción "Descargar" del menú superior 
Cuando el cristal posee una cierta temperatura, confiere a los electrones una cierta cantidad de movimiento, para la cual solo existe una cierta cantidad de energía accesible como lo muestra la figura, a esta cantidad de energía se la representacon las denominadas bandas de energía.
Para ver el gráfico seleccione la opción "Descargar" del menú superior 
Entonces si se aplica un voltaje al cristal, esto generará energía térmica lo que le da a los electrones la capacidad de moverse, de romper y completar enlaces, y también de conducir la energía eléctrica, además de moverse entre las bandas de energía. Basados en esto es que se...