Métodos de protección a la base del transistor

Métodos de protección a la base del transistor

Antes de empezar, hay que tener en cuenta los parámetros importantes para comprender mejor como es que vamos a proteger nuestra base tanto de lacorriente como del voltaje.
Ib Es la corriente que circula por la base del transistor. Si su valor está dentro de los márgenes adecuados, permite gobernar la Ic
Ic Corriente que fluye por el colectordel transistor. Es muy importante conocer su valor máximo. A la hora de elegir un transistor debemos tener en cuenta que la Ic máxima sea algo superior a la intensidad que necesite nuestra carga parano hacerlo trabajar al límite.
B (Ganancia) Indica la variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente de la base (Nos da una idea de cuánto amplifica un transistorla corriente que se aplica a su base). Depende de Ic y de Vce
Vce Es la máxima tensión que puede soportar el transistor entre colector y emisor. Si este valor se supera, el transistor conduce sin quese aplique corriente de base y se destruye. Al momento de elegir uno, hay que observar que su Vce sea suprior a que necesitamos.
Vbe Es la caída de tensión que hay entre la base y el emisor. Sueletener un valor casi constante de unos 0.7V para los transistores de silicio.
Ahora que ya vimos los parámetros que tenemos que tener en cuenta, pasaremos a cómo proteger la base de nuestro transistorconforme a lo que ocupemos y a las características del fabricante que tenga nuestro transistor.

Existen varis formas de proteger un transistor, en específico la base, Dos de las más comunes son através de un diodo cuando el transistor entrega un carga inductiva (bobina). La segunda forma es a través de una resistencia calculada según nuestras necesidades, que es el que nos enfocaremos.Primero se debe saber cuánto amperaje (Ic) debemos de entregar y con cuanto voltaje (Vce) vamos controlar, además de tener la hoja de datos técnicos de los transistores con los que contamos o que podemos...