Nada

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos deelectrónica de potencia.
Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación deltransistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET,mientras que las características de conducción son como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los Variadores defrecuencia así como en las aplicaciones en maquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: automóvil, tren,metro, autobús, avión, barco, ascensor, electrodoméstico, televisión, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida.
La estructura recuerda mucho la de un transistor MOSFET de potencia donde se utilizanobleas dopadas de Tipo N sobre las que se deposita una fina capa epitaxial. El IGBT está construido de forma casi idéntica. La capa epitaxial presenta el mismo espesor y se dopa igual que en un FET. Sinembargo, existe una importante diferencia: el material de partida es una oblea dopada Tipo P en lugar de Tipo N. La unión PN adicional, así creada, inyecta portadores (huecos) en la región epitaxialTipo N reduciendo su resistividad y rebajando la caída de tensión en conducción.
A este proceso se le conoce también por "Modulación de la Conductividad" y puede contribuir a incrementar la capacidadde conducción de corriente hasta 10 veces más.
Por otro lado, la adición de esta capa Tipo P, introduce un nuevo transistor parásito que con el NPN inherente a la estructura de un MOSFET, conforma...