post 1 electronica 2

República Bolivariana de Venezuela
Ministerio del Poder Popular para la Defensa
Universidad Nacional Experimental Politécnica de la Fuerza Armada Bolivariana
Maracay – Estado Aragua
UNEFA Maracay – Extensión Aragua







Práctica No. 1
AMPLIFICADOR BJT MULTIETAPA CON ACOPLAMIENTO CAPACITIVO





Profesor:Bachiller:
César Gonzáles Bianca Rojas
C.I: 21277016
Yessica Godoy
C.I: 20449734









Mayo;2014
INTRODUCCION

El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente se encuentranprácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores,  reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, etc. Existen diferentes tipos de transistores, uno de ellos es el BJT, que es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si se le introduce una cantidad de corriente por una de suspatillas (base), el entregará por otra (emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama amplificación.

Este tipo de transistor es el que se estará utilizando como parte de la práctica en el presente informe en donde se dará a conocer de una manera concisa el manejo de los transistores de una manera de amplificación; Esta práctica utiliza el transistor bipolar como amplificador y a su vezcomo inversor. Brevemente se conocerá con detalles lo realizado en la práctica de laboratorio, así como las mediciones realizadas y las gráficas de cada una de ellas, que ameritan de análisis de resultados los cuales también están descritos en este informe.
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CONTENIDO
Objetivos de la Práctica:
Diseñar un amplificador multietapa BJT con acoplamiento capacitivo para bajasfrecuencias y pequeñas señales, dadas sus especificaciones generales en AC.
Materiales:
Transistores bipolares (2N2222)
Resistencias varias.
4 Condensadores Electrolíticos (10
Osciloscopio.
Multímetro.
Protoboard.
Fuente reguladora de voltaje.
Generador de señal.
MARCO TEORICO
Transistor de unión bipolar (BJT)
Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entresí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Lostransistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que sediferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento normal, la unión base-emisorestá polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.
Configuraciones Transistores Bipolares (BJT)
Configuración de...