Préctica electronica





Profesor: Juan José Peña López
30 de Enero del 2015

Objetivo.
· Medir parámetros de polarización en diferentes tipos de diodos.
· Medición de variables eléctricas en circuitos básicos utilizando diodos semiconductores
· Determinar la curva característica de un diodo.
Material.
· Equipo de Medición: dos multímetros digitales, fuente de alimentación y termopar.
· Resistores de330 Ωy 1000 Ω (calcular potencia requerida por los resistores).
· Un diodo emisor de luz.
· Diodos semiconductores: 1N4148, 1N4001 y 1N4007.
· Varios: cable telefónico, conectores caimán y mixtas, pinzas de corte-punta y tablilla de experimentos
(protoboard).

Posteriormente, realizar lo solicitado por los siguientes incisos:
a) Fuente de alimentación apagada.
b) Ajustar el valordel resistor R1 en 500 Ω.
c) Encender la fuente de alimentación.
d) Tomar las lecturas indicadas por los instrumentos y registrar resultados en la Tabla 4 (incluir estado del
LED).
e) Decrementar en 100 Ω el valor del resistor R1 y repetir lo solicitado por el inciso d). Este paso se repetirá hasta que el valor de R1 llegue a 0 Ω (esto significa que el decremento de R1 serealizará cinco veces y que este procedimiento se repetirá este número de ocasiones).
4. Utilizando un diodo de propósito general (1N4001 ó 1N4007) realice las siguientes mediciones y complete la tabla correspondiente.
a) Mida la temperatura ambiente y regístrelo en la tabla. A continuación mida la caída de tensión con el multimetro y regístrelo también en la tabla.
b) Con unencendedor o cerillo, caliente la parte externa del diodo sin llegar a encender el mismo. Mida la temperatura que alcanzo cuando se calentó y a la vez mida la caída de tensión en el diodo y regístrela en la tabla.
c) Repita el inciso anterior, pero ahora enfrié lo más posible al diodo con hielo y registre el resultado de las mediciones en la tabla.





FUNDAMENTO TEORICO
Losdiodos se forman a partir de la unión de dos materiales semiconductores uno de tipo N(pentavalentes) y otro de tipo P(tetra y trivalentes) en conjunto con dos conexiones metálicas que los une con circuitos.


 Polarización directa
La parte media de la unión de los materiales P y N no permite circulación de corriente ya que ya que esta no es conductora
Sin embargo, al aplicar una tensiónpositiva en el ánodo, se generará un campo eléctrico que "empujará" los huecos hacia la unión, provocando un estrechamiento de la zona de media, mientras ésta exista no será posible la conducción.

Si la tensión aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de media y el dispositivo conduce gracias a las cargas móviles ósea, mueve los portadores de carga.

Polarización inversa
Al aplicar unatensión positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios próximos a la unión. Estos portadores son atraídos hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de media. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula.
Un diodo polarizado en inversa lo está en directa para los minoritarios, que son atraídos hacia la unión. El movimiento deestos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior que la obtenida en polarización directa para los mismos niveles de tensión.

Al aumentar la tensión inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de media , al igual que sucede en un material aislante: el campo eléctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entrelos átomos de silicio.
Efectos de la temperatura
Conforme aumenta la temperatura, disminuye la tensión de encendido Vγ. Por otra parte, un descenso en la temperatura provoca un incremento en Vγ. Esto se dónde Vγ varía linealmente con la temperatura de acuerdo con la siguiente ecuación (se supone que la corriente del diodo, iD, se mantiene constante):





1N4007 y 1N4001
 Principales...