Practica 4 Mecanica
Páginas: 2 (487 palabras)
Publicado: 6 de octubre de 2015
1. OBJETIVO
Analizar los mecanismos de generación y combinación para explicar los tiempos de vida media y la difusión de los portadores de carga.
2. MATERIAL Y EQUIPO
Bernier
Osciloscopio
Fuente depoder
Luz estroboscopica
Resistencia de 1K
Placa de sulfuro de Cadmio y Silicio
3. DESARROLLO TEORICO
Fenómenos de Transporte
Los fenómenos de transporte de cargas ocurridos en semiconductores sedeben a una variación de velocidad de los portadores de carga (electrones libres y huecos), producida por diferentes excitaciones de los mismos.
Existen tres fenómenos fundamentales:
1. La corrientede arrastre: la conductividad.
2. La corriente de difusión.
3. El efecto Hall en semiconductores.
La corriente de arrastre : la conductividad.
Los portadores de cargas están en continuomovimiento aleatorio (incluso sin que se vean afectados por un campo eléctrico), aunque el conjunto de portadores no se mueve.
Aplicamos un campo eléctrico al semiconductor, de manera que ahora el conjuntode portadores se desplaza produciendo la corriente de arrastre.
Las velocidades medias de los portadores dependen directamente de las movilidades de cada una, es decir, del grade de resistencia quepresente cada material ante la acción de un campo eléctrico. Dependen del tipo de material y disminuyen al aumentar la temperatura.
La densidad de corriente de arrastre depende de la densidad deportadores.
La conductividad del semiconductor, aumente a medida que sube la temperatura.
La corriente de difusión:
Cuando la concentración de portadores de carga de un semiconductor (electrones, huecos)no es siempre la misma (gradiente de concentraciones), existe un movimiento de cargas consistente en el transporte de portadores hacia las zonas menos concentradas.
Las densidades de corriente dedifusión depende del gradiente de portadores.
Puede ocurrir que los dos fenómenos anteriores aparezcan a la vez.
Efecto Hall en semiconductores:
Al aplicar un campo magnético a un conjunto de...
Analizar los mecanismos de generación y combinación para explicar los tiempos de vida media y la difusión de los portadores de carga.
2. MATERIAL Y EQUIPO
Bernier
Osciloscopio
Fuente depoder
Luz estroboscopica
Resistencia de 1K
Placa de sulfuro de Cadmio y Silicio
3. DESARROLLO TEORICO
Fenómenos de Transporte
Los fenómenos de transporte de cargas ocurridos en semiconductores sedeben a una variación de velocidad de los portadores de carga (electrones libres y huecos), producida por diferentes excitaciones de los mismos.
Existen tres fenómenos fundamentales:
1. La corrientede arrastre: la conductividad.
2. La corriente de difusión.
3. El efecto Hall en semiconductores.
La corriente de arrastre : la conductividad.
Los portadores de cargas están en continuomovimiento aleatorio (incluso sin que se vean afectados por un campo eléctrico), aunque el conjunto de portadores no se mueve.
Aplicamos un campo eléctrico al semiconductor, de manera que ahora el conjuntode portadores se desplaza produciendo la corriente de arrastre.
Las velocidades medias de los portadores dependen directamente de las movilidades de cada una, es decir, del grade de resistencia quepresente cada material ante la acción de un campo eléctrico. Dependen del tipo de material y disminuyen al aumentar la temperatura.
La densidad de corriente de arrastre depende de la densidad deportadores.
La conductividad del semiconductor, aumente a medida que sube la temperatura.
La corriente de difusión:
Cuando la concentración de portadores de carga de un semiconductor (electrones, huecos)no es siempre la misma (gradiente de concentraciones), existe un movimiento de cargas consistente en el transporte de portadores hacia las zonas menos concentradas.
Las densidades de corriente dedifusión depende del gradiente de portadores.
Puede ocurrir que los dos fenómenos anteriores aparezcan a la vez.
Efecto Hall en semiconductores:
Al aplicar un campo magnético a un conjunto de...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.