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Una ventaja del dispositivo MOS es que se le puede usar como transistor y también como resistor. Se obtiene un resistor del MOS polarizando de forma permanente la terminal de compuerta para que conduzca. Entonces. la razón del voltaje fuente-drenaje entre la comente de canal determina el valor de la resistencia. Es factible construir resistores con diferentes valores fijando durante lafabricación la longitud y anchura del canal del dispositivo MOS.
Circuito típico de una puerta de la familia ECL 10,000 de Motorola.
La estructura ECL se basa en un par diferencial (Q1-Q2 y Q3) en el que una rama se conecta a una tensión de referencia, que determina el umbral ALTO / BAJO y la otra rama con n transistores en paralelo a las n entradas. Del diferencial se pueden obtiener simultáneamente dossalidas con la salida y la salida negada y muy bajo jitter entre ellas. Estas salidas se llevan, finalmente, a sendos seguidores de emisor para proporcionar ganancia en corriente y el fan-out adecuado, que en muchos casos pueden alimentar líneas de 50Ω directamente. Es común la presencia de pines de alimentación separados para estos últimos transistores ya que, a diferencia del par diferencial, sucorriente varia con la señal si no están los dos transistores conectados a impedancias iguales. Alimentándolos separadamente se evita que estas variaciones alcancen el par diferencial.
Esta estructura produce simultáneamente la salida OR / NOR: cualquier entrada a nivel alto provoca que el emisor de Q5 pase a nivel alto y el de Q6 a nivel alto. Por comparación, la estructura TTL sólo produce lafunción NAND.
A diferencia de otras tecnologías (TTL, NMOS, CMOS), la ECL se alimenta con el positivo (Vcc) conectado a masa, siendo la alimentación entre 0 y -5,2V, habitualmente. Algunas familias permiten que VEE sea -5V, para compartir la alimentación con circuitos TTL.
Aplicaciones
Además de las familias lógicas ECL I, ECL II, ECL III, ECL10K y ECL100K, la tecnología ECL se ha utilizando encircuitos LSI:
• Matrices lógicas
• Memorias (Motorola, Fairchild)
• Microprocesadores (Motorola, F100 de Ferranti)
• Para mejorar las prestaciones de la tecnología CMOS, la ECL se incorpora en ciertas funciones críticas en circuitos CMOS, aumentando la velocidad, pero manteniendo bajo el consumo total.
MOS (metal-oxido-semiconductor)

El transistor de efecto de campo (FET, field-effecttransistor) es un transistor unipolar, ya que su funcionamiento depende del flujo de un solo tipo de portador. Hay dos tipos de transistores de efecto de campo: el transistor de efecto de campo de unión (JFET, junction FET) y el metal-oxido-semiconductor. El primero se usa en circuitos lineales, y el segundo, en circuitos digitales. Los transistores MOS se pueden fabricar en un área más reducida quelos bipolares.
La estructura básica del transistor MOS se presenta en la figura 10-19. El MOS de canal p consiste en un sustrato levemente impurificado de silicio tipo n. Dos regiones se impurifican intensamente por difusión de impurezas tipo p para formar la fuente y el drenaje. La región entre las dos secciones tipo p actúa como canal. La compuerta es una placa de metal separada por del canalpor un dieléctrico aislado de dióxido de silicio.


La figura 10-20 ilustra los símbolos gráficos para los transistores MOS. El símbolo para el transistor de enriquecimiento tiene una conexión de línea interrumpida entre la fuente y el drenaje. En este símbolo puede identificarse el sustrato y se le muestra conectado a la fuente. Un símbolo alterno omite el sustrato y coloca una flecha en laterminal de la fuente para indicar la dirección del flujo de corriente positiva (la de la fuente al drenaje en el canal p y del drenaje a la fuente en el canal n).

Una ventaja del dispositivo MOS es que se le puede usar como transistor y también como resistor. Se obtiene un resistor del MOS polarizando de forma permanente la terminal de compuerta para que conduzca. Entonces. la razón del...