Procesos de Fabricación CMOS lo mejor de lo mejor

PROCESOS DE
FABRICACIÓN

CMOS
Electrónica II- Ingeniería Electrónica- IUA

Introducción





La integración CMOS consiste en formar zonas
semiconductoras N y P y la zona de Oxido de Puerta
conpolisilicio encima de ella e interconectar los
diversos transistores entre si y con la fuente de
alimentación, todas estas mediante líneas de metal
(Aluminio).
Las regiones citadas no se encuentran enel mismo
plano, sino en distintos pisos o capas sucesivas.
La presentación del proceso del proceso de fabricación
CMOS se hace en dos vueltas: primero, se explica
conceptualmente el esquema básico deintegración,
luego se comenta la litografía, necesaria para
diferenciar las zonas de actuación sobre la oblea.

Etapas Básicas de Integración
CMOS




OBLEA inicial de Silicio dopado tipo P: Losespesores
mas comunes son 500µm=0,5mm y su diámetro es de
100-125mm.
Formación de los pozos N:
Se crean zonas de substrato N para los transistores PMOS.( La profundidad de los pozos es 5µm).

Demarcación de Zonas Activas:
Además de los N-MOS Y P-MOS se integran zonas de
difusión para polarizar los substratos. El P se polariza a
0V a fin que todas las uniones NP de las difusiones de
los NMOSqueden en polarización inversa y con ellos
resulten aislados. Por la misma razón los pozos N, se
polarizan con Vcc y los PMOS quedaran aislados.
Unas barreras intermedias de SiO2 separa los
transistoresentre si y éstos de los contactos de
polarización. (espesor =1µm)

Óxido de puerta y Polisilicio:
El espesor del oxido de puerta ( SiO2) = 0.05 µm.
El espesor del Polisilicio = 0.02 µm


Difusión N yP:
La difusión N tiene una profundidad de 0.2 µm.
La difusión P tiene una profundidad de 0.5 µm. Algo mas
del doble que la tipo N.


Contactos:
Una capa de SiO2 sirve para separar el metalrespecto del
polisilicio y las difusiones que están debajo del mismo.
Dicha capa de óxido debe poseer orificios para los
contactos de las líneas de metal con las diversas zonas
que deben ir conectadas....