Propiedades ferreas y no ferreas de los materiales

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ARSENIURO DE GALIO

Introducción

Antes de explicar y desarrollar este material quisiera exponer mis impresiones a la hora de realizar la exposición y cabe destacar que antes de recabar datos para realizar este trabajo nunca había oído el nombre “ GaAs” sin saber que hoy en día forma parte muchos de los aparatos electrónicos de los que estamos frecuentemente rodeados, como son losteléfonos, televisores, mandos a distancia, ordenadores, redes inalámbricas, pdas, GPS y muchos otros. Y que por la tendencia este tipo de semiconductores se esta continuamente mejorando por lo que se supone que aun se mejorará mucho mas tanto su eficiencia como los costes de fabricación ya que estarán presentes en todos los adelantos tecnológicos que están por llegar.
Contenido
ElArseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsénico. Es un importante semiconductor y se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisión infrarroja, diodos láser y células fotovoltaicas.vista microscópica estructura del GaAs |
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El GaAs EN TEGNOLOGIAS DE ALTAS FRECUENCIAS
La masa efectiva de la carga eléctrica del GaAs tipo N dopado es menor que en el silicio del mismo tipo, por lo que los electrones en GaAs se aceleran a mayores velocidades, tardando menos en cruzar el canal del transistor. Esto es muy útil en altas frecuencias, ya que se alcanzará unafrecuencia máxima de operación mayor. Esta posibilidad y necesidad de trabajar con circuitos que permitan actuar a mayores frecuencias tiene su origen en las industrias de defensa y espacial, en el uso de radares, comunicaciones seguras y sensores. Tras el desarrollo por parte de programas federales, pronto el GaAs se extendió a los nuevos mercados comerciales, como redes de área localinalámbricas (WLAN), sistemas de comunicación personal (PCS), transmisión en
En el campo de la medicina también se está usando el material para la fabricación de emisor laser para alivio de dolores musculares , regeneración y cicatrización de heridas

Emisor Láser de Arseniuro de Galio
Otro uso donde lo podemos ver es las placas solares para obtención de energía eléctrica

Placassolares GaAs

En valencia ciudad hemos podido comprobar cómo en dos años los semáforos han pasado de iluminarse con bombillas estándar de filamento a diodos, con la gran ventaja de su duración a la hora de mantenimiento reduce considerablemente sus costes.


Semaforo
directo por satélite (DBS), transmisión y recepción por el consumidor, sistemasde posicionamiento global (GPS) y comunicaciones móviles. Todos estos mercados requerían trabajar a frecuencias altas y poco ocupadas que no podían alcanzarse con silicio ni germanio.
Además, esto ha afectado a la filosofía de fabricación de semiconductores, empleándose ahora métodos estadísticos para controlar la uniformidad y asegurar la mejor calidad posible sin afectar gravemente alcoste. Todo esto posibilitó también la creación de nuevas técnicas de transmisión digital a mayor potencia de radiofrecuencia y amplificadores de baja tensión/bajo voltaje para maximizar el tiempo de operación y de espera en dispositivos alimentados por baterías.

MATERIALES SIMILAREAS AL ( GaAs)

Otros materiales semiconductores similares son el silicio, germanio, sulfuro de cadmio(CdS), antimoniuro de indio, y carburo de silicio, cuyas principales características ofrecen ventajas y desventajas sobre el arseniuro de galio.
Germanio:

El germanio, es el material en que se observó por primera vez el efecto transistor, es uno de los semiconductores más interesantes e importantes. Es un material gris de aspecto metálico ,frágil y vidrioso en sus propiedades mecánicas....
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