Puente h mosfet

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MOSFET H-Bridge esquema y teoría de operación
Este H-Bridge utiliza transistores MOSFET principalmente para mejorar la eficiencia del puente. Cuando se usan transistores bipolares (transistorescomunes) ellos tienen un voltaje de saturación de aproximadamente 1v en la juntura colector-emisor cuando son activados (modo saturación). Su nuestra fuente de alimentación fuese de 10v , estaríamosconsumiendo 2v solamente en los dos transistores requeridos para controlar la dirección de un motor DC. Es decir, 20% de la potencia de mi fuente es consumida por los transistores generando simplementemucho calor y obligándonos además a usar grandes disipadores. A diferencia de ello, los transistores MOSFETs poseen una resistencia entre Drenaje y Fuente (RDS) cuando son activados que rondan los 0.1ohms (dependiendo del modelo). Esto significa que en un ejemplo como el anterior y trabajando con una corriente de 4 amperes estaríamos perdiendo solo 0.4v por transistor (0.8v en total), lo cualrepresenta una notable mejora en el rendimiento del puente. Los MOSFETs trabajan mediante la aplicación de un voltaje en la Compuerta o Gate. Existen en dos tipos: N-Chanel (canal negativo – Q3 y Q5) yP-Chanel (canal positivo – Q2 y Q4). En el primer caso pasan a modo conducción (activado) mediante un voltaje positivo en la Compuerta y mediante un voltaje negativo para el segundo caso. Algunos de losfabricantes de transistores MOSFETs son : MOTOROLA, International Rectifier, National Semiconductor y otros. IMPORTANTE: Los MOSFETs son extremadamente sensibles a las corrientes estáticas pero aún másimportante es el hecho que si su Compuerta es dejada sin conexión pueden llegar a autodestruirse. La Compuerta es un dispositivo de muy alta impedancia (alrededor de 10Mohm) y un simple ruidoeléctrico puede activarlo. Las resistencias R3, R4, R6 & R8 han sido adicionadas para evitar que el MOSFET se autodestruya. Es muy importante instalar estas resistencia antes de instalar el MOSFET. Estas...
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