Rectificador controlado de silicio
MANTENIMIENTO ELECTRONICO INSTRUMENTAL INDUSTRIAL
EJECUTAR
ELECTRONICA DE POTENCIA
GRUPO EII 33
AGOSTO DE 2012
PRACTICAS DE LABORATORIO
1. OBJETIVOS DE LAS PRACTICAS
* Adquirir conocimientos sobre la aplicación de dispositivos electrónicos en sistemas de conversión y control de potencia
* Identificar los dispositivossemiconductores capaces de controlar potencia
* Aplicar métodos adecuados para disparar y controlar el funcionamiento de los citados dispositivos
TEORIA PRELIMINAR
TEMA: RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
Realizado por: Ricardo J. Murillo O.
SCR: SILICON CONTROLLED RECTIFIER (RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO)
APLICACIÓN: Control de potencia eléctrica. Circuitos de ControlIndustrial
VENTAJAS: Tamaño, economía, ahorro de energía, libre de mantenimiento, alta acción de conmutación
SIMBOLO
A: ANADO
K: CATODO
G: COMPUERTA
CURVA CARACTERISTICA:
SE ACTIVA POR:
* DISPARO POR PUERTA
* DISPARO MODULO DE TENSION (DIAC, SUS, SBS)
* ΔV/Δt (RED SNUBBER, CIRCUITO RC)
* ΔI/Δt (INDUCTANCIA, L)
* TEMPERATURA (DISIPADOR)
* LUZ (LASCR)
SEDESACTIVA POR:
* IA=0
* POLARIZACION INVERSA
* IA<IH
ESPECIFICACIONES DE UN SCR
IGT: Corriente de compuerta necesaria para disparar un SCR
VGT: Potencia de barrera necesaria para polarizar la juntura
IH: corriente de sostenimiento
FORMAS DE ONDA DE UN SCR:
* ANGULO DE DISPARO
* ANGULO DE CONDUCCION
El las figuras que aparecen a continuación, ubicar los ángulosde conducción y de disparo, identificando cual será la señal de la carga y en el SCR.
PREGUNTAS:
1. Que conducción causaría la mayor corriente de la carga en el circuito de la figura, un ángulo de retardo de disparo de 30º o un ángulo de 50º
2. Si el ángulo de conducción de un SCR es de 90º y se desea duplicar la corriente de carga promedio, que ángulo de conducción nuevo serianecesario. La señal de entrada en una onda senoidal
3. Si IGT = 20mA, calcular VX para Disparar el SCR
4. Supongamos que R1 es de 3KΩ y que la caída en la carga es despreciable. Calcular el valor al que se debe ajustar el potenciómetro, si se desea un ángulo de retardo de disparo de 90º. VGK de 0.7V, IGT de 15mA. A que valor se debe ajustar para un ángulo de 20º y para uno de 45ºPRACTICAS
TEMA 1: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
1.1 OBJETIVOS
* Conocer las características de los dispositivos semiconductores de potencia ante corriente continua
* Identificar los terminales de los dispositivos de potencia mediante el uso del óhmetro y manuales de servicio
* Analizar el funcionamiento de los dispositivos semiconductores mediante el control de potencia encorriente continua
* Observar los diferentes métodos de cebado y descebado de los semiconductores de potencia
1.2 EQUIPOS
* Fuente de energía (VDC)
* Multimetro (análogo o digital)
1.3 MATERIALES
* 2 – SCR
* 1 – TRIAC
* 1 – CUADRAC
* 2 – Diodos LED
* 1 – Resistencia de 120Ω
* 4 – Resistencias de 1KΩ
* 1 – Condensador de 2.2µF/20V
* 2 –Pulsadores normalmente abierto (NA)
1.4 HERRAMIENTAS:
* 1 – Proto-board
* 1 – Pinzas Planas
* 1- Pela cable o corta frio
* Conectores (caimanes)
1.5 INFORMACION BASICA
El rectificador de silicio (SCR), es el más utilizado de la familia y a grandes rasgos, su funcionamiento se asemeja a un rectificador convencional al que se le ha insertado un tercer electrodode control (puerta). Este elemento posibilita la circulación de corriente entre los terminales principales (ánodo y cátodo), cuando estos se encuentran polarizados directamente, es decir cuando el potencial aplicado aña nodo es mas positivo que aplicado al cátodo.
Los rectificadores de silicio (SCR) son semiconductores que poseen tres electrodos externos:
* Ánodo (A)
* Cátodo (K)...
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