Reporte Practica4 Dispositivos

Benemérita Universidad Autónoma de Puebla

Facultad de Ciencias de la Electrónica

Ingeniería en Mecatrónica


Dispositivos electrónicos

Práctica 4
Circuitos de BJT en C.D




Profesor: HéctorSantiago Ramírez

Equipo:
Royer Mora Cortes
Romano Carranza Pablo
David Mena Gonzales
Pedro Antonio Baltazar

Jueves 12 de marzo de 2015
Objetivo:
Medir el punto de operación de circuitos contransistores BJT.
Analizar los circuitos BJT en C.D.
Conocer los distintos tipos de polarización de circuitos de BJT para amplificadores de una sola etapa.

Introducción
En el siguiente trabajoexpondremos los datos obtenidos de voltaje y corriente en los circuitos con transistores BJT de manera práctica, comparando los resultados obtenidos al analizar los circuitos de manera teórica y de igualmanera con los datos obtenidos en la simulación con TopSpice.

Marco teórico
Los transistores de unión bipolar (BJT) son los dispositivos que comúnmente se utilizan la amplificación de señales. Se cuentacon dos tipos: npn y pnp.
Un transistor de unión bipolar tiene tres terminales, emisor, base y colector. La punta de la flecha de emisor identifica que tipo de transistor estamos trabajando.
Estedispositivo contiene dos uniones, la de base-emisor y la de base-colector. Si polarizamos las dos uniones en directa, el transistor está trabajando en la zona de saturación, en el caso de quepolaricemos la unión de emisor en directa y la unión de colector en inversa, estaremos en la zona activa, cuando las dos uniones se polarizan en inversa el transistor se encuentra en la zona de corte, elúltimo caso en el que la unión de emisor esta en inversa y la de colector en activa, no existe y solo se utiliza para fines teóricos.
Un BJT es un dispositivo controlado por corriente, su corriente decolector (salida) (ic) depende de la corriente de la base (ib). La unión base emisor se comporta como un diodo y puede representarse como tal. Por lo tanto un pequeño cambio en la corriente de base...