Resumen diodos semiconductores
Páginas: 10 (2344 palabras)
Publicado: 10 de marzo de 2011
DIODOS SEMICONDUCTORES
Dispositivos Electrónicos
Quito, 04 de marzo de 2011
1.1 INTRODUCCION
La miniaturización desarrollada en los años recientes ha dado por resultado sistemas tan pequeños que ahora el propósito básico del encapsulado sólo es obtener algunos medios para manipular el dispositivo y asegurar que las conexiones permanezcan fijas en forma adecuada en la base delconductor.
1.2 EL DIODO IDEAL
El diodo ideal es un dispositivo con dos terminales que conducirá corriente en la dirección que define la flecha en el símbolo y actuará como un circuito abierto en cualquier intento por establecer corriente en dirección opuesta.
“Las características de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que puede conducir corriente en una sola dirección.”
E n ladescripción de los elementos que se presentan a continuación es importante que se definan los diferentes símbolos de letras, polaridades de voltajes y direcciones de corriente.
El diodo ideal es un circuito cerrado para la región de conducción y un circuito abierto en la región de no conducción.
1.3 MATERIALES SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es un material que posee un nivel deconductividad sobre algún punto entre los extremos de un aislante y un conductor.
El término resistividad se utiliza a menudo para comparar los niveles de resistencia de los materiales. Las unidades se derivan de la siguiente ecuación R= pl/A.
La capacidad de cambiar las características del material en forma significativa a través de este proceso, que se conoce como “dopado”, es otra razón más porla cual el Ge y el Si han recibido tanta atención.
En cada caso existen 4 electrones en la órbita exterior (valencia). El potencial (potencial de ionización) que se requiere para movilizar cualquiera de estos cuatro electrones de valencia, es menor que el requerido por cualquier otro electrón dentro de la estructura.
Los materiales intrínsecos son aquellos semiconductores que han sidocuidadosamente refinados para reducir las impurezas a un nivel muy bajo, esencialmente tan puro como se puede obtener a través de la tecnología moderna.
Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede generar un incremento sustancial en el número de electrones libres en el material.
Se dice que los materiales como Si y Ge que muestran una reducción en resistencia con el incremento en latemperatura, tienen un coeficiente de temperatura negativo.
1.4 NIVELES DE ENERGIA
Mientras más distante se encuentre el electrón del núcleo, mayor es el estado de energía y cualquier electrón que haya dejado a su átomo tiene un estado de energía mayor que cualquier electrón en la estructura atómica.
Existen niveles y estados de energía máximos en los cuales se puede encontrar cualquierelectrón y una región prohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionización.
1.5 MATERIALES EXTRINSECOS TIPO n Y TIPO p
Un material semiconductor que haya sido sujeto al proceso de dopado se denomina un material extrínseco
Materiales tipo n
El tipo n se crea a través de la introducción de elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como elantimonio , el arsénico y fósforo. A las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se les llama átomos donores.
Aunque un número importante de portadores libres se han creado en el material tipo n, éste aún es eléctricamente neutro debido a que de manera ideal el número de protones cargados positivamente en los núcleos es todavía igual al número de electrones libres cargados negativamente yen órbita en la estructura.
Materiales tipo p
El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con átomos de impureza que poseen tres electrones de valencia.
A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como átomos aceptores.
El material resultante tipo p es eléctricamente neutro por las mismas razones descritas para...
Dispositivos Electrónicos
Quito, 04 de marzo de 2011
1.1 INTRODUCCION
La miniaturización desarrollada en los años recientes ha dado por resultado sistemas tan pequeños que ahora el propósito básico del encapsulado sólo es obtener algunos medios para manipular el dispositivo y asegurar que las conexiones permanezcan fijas en forma adecuada en la base delconductor.
1.2 EL DIODO IDEAL
El diodo ideal es un dispositivo con dos terminales que conducirá corriente en la dirección que define la flecha en el símbolo y actuará como un circuito abierto en cualquier intento por establecer corriente en dirección opuesta.
“Las características de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que puede conducir corriente en una sola dirección.”
E n ladescripción de los elementos que se presentan a continuación es importante que se definan los diferentes símbolos de letras, polaridades de voltajes y direcciones de corriente.
El diodo ideal es un circuito cerrado para la región de conducción y un circuito abierto en la región de no conducción.
1.3 MATERIALES SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es un material que posee un nivel deconductividad sobre algún punto entre los extremos de un aislante y un conductor.
El término resistividad se utiliza a menudo para comparar los niveles de resistencia de los materiales. Las unidades se derivan de la siguiente ecuación R= pl/A.
La capacidad de cambiar las características del material en forma significativa a través de este proceso, que se conoce como “dopado”, es otra razón más porla cual el Ge y el Si han recibido tanta atención.
En cada caso existen 4 electrones en la órbita exterior (valencia). El potencial (potencial de ionización) que se requiere para movilizar cualquiera de estos cuatro electrones de valencia, es menor que el requerido por cualquier otro electrón dentro de la estructura.
Los materiales intrínsecos son aquellos semiconductores que han sidocuidadosamente refinados para reducir las impurezas a un nivel muy bajo, esencialmente tan puro como se puede obtener a través de la tecnología moderna.
Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede generar un incremento sustancial en el número de electrones libres en el material.
Se dice que los materiales como Si y Ge que muestran una reducción en resistencia con el incremento en latemperatura, tienen un coeficiente de temperatura negativo.
1.4 NIVELES DE ENERGIA
Mientras más distante se encuentre el electrón del núcleo, mayor es el estado de energía y cualquier electrón que haya dejado a su átomo tiene un estado de energía mayor que cualquier electrón en la estructura atómica.
Existen niveles y estados de energía máximos en los cuales se puede encontrar cualquierelectrón y una región prohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionización.
1.5 MATERIALES EXTRINSECOS TIPO n Y TIPO p
Un material semiconductor que haya sido sujeto al proceso de dopado se denomina un material extrínseco
Materiales tipo n
El tipo n se crea a través de la introducción de elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como elantimonio , el arsénico y fósforo. A las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se les llama átomos donores.
Aunque un número importante de portadores libres se han creado en el material tipo n, éste aún es eléctricamente neutro debido a que de manera ideal el número de protones cargados positivamente en los núcleos es todavía igual al número de electrones libres cargados negativamente yen órbita en la estructura.
Materiales tipo p
El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con átomos de impureza que poseen tres electrones de valencia.
A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como átomos aceptores.
El material resultante tipo p es eléctricamente neutro por las mismas razones descritas para...
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