Semiconductores

Área de Estudio
Control de Electrónica Industrial

Módulo
Semiconductores

Informe Nº 3

Autor
César Augusto Araya Mora

Profesor
Diego Batista Valverde

Fecha de Entrega

05/04/2011

Índice

Objetivos………………………………………………………………….3
Marco Teórico…………………………………………………………….4
Medidas de seguridad al trabajar con los equipos del laboratorio………………………………………………....4
Diodos djuntura, material Tipo N y P…………………………………………..4
Parámetros eléctricos……………………………….………………………………………4
Simbología, modelos Ideal y Real …………………………………………………..…..5
Rectificadores Media Onda y Onda Completa……………………………………………………………………………………………….6
Puente de Diodos, Diodo Zener …………………….……………………………….7
Diodo Emisor de Luz ………………………………………………………………………8
Fotodiodo y TransistorBipolar…………………………………………………………9
Polarizaciones………………………………………………………………………………….10
Configuración Universal………………………………………………………………….11
Zonas de operación del BJT……………………………………………………………12
Emisor Común y Modelo Parámetro………….…………………………………13
Configuración Seguidor Emisor …………………….………………………………14
Configuración Base Común………………………………………………….………...14
Investigación Previa………………………………………………………………………..15
Diodo de Unión y DiodoZener………………………………………………………15
Rectificador de Onda Completa…………………………………………………...16
Transistor Bipolar……………………………………….……………………………………16
Amplificadores de señal………………………………………….………………………16
Materiales y Equipo…………………………………………………………………………16
Cálculos Matemáticos…………………………………………………….17
Conclusión………………………………………………………………...18
Bibliografía………………………………………………………………..18




Semiconductores

Objetivos Específicos:

Acatar medidas deseguridad al trabajar con los equipos de laboratorio.
Comprender el funcionamiento de los diodos de juntura.
Comprender el funcionamiento de los circuitos rectificadores de media onda y onda completa.
Comprender el funcionamiento del diodo Zener
Comprender el funcionamiento del diodo emisor de luz (LED).
Comprender el funcionamiento del fotodiodo.
Comprender el funcionamiento de lostransistores bipolares (BJT).
Comprender el funcionamiento de los circuitos amplificadores con BJT.

Marco Teórico

Medidas de seguridad al trabajar con los equipos de laboratorio
Evitar cortos circuitos.
Evitar trabajar con las manos húmedas.
Descargar estática.
Usar herramientas adecuadas.

El Diodo de Juntura
Es un dispositivo electrónico, generalmente fabricados de Silicio oGermanio, el cual permite el paso de corriente en una sola dirección.

Material Tipo N
Construido por Silicio o Germanio más impurezas pentavalentes (5 e- en su última capa: Fosforo, Arsénico, Antimonio.

Material Tipo P
Constituido por Silicio o Germanio más impurezas trivalentes (3 e- en su última capa: Galio, Indio, Baro.

Parámetros Eléctricos
Tensión Umbral: Es la tensión necesaria parasuperar la barrera de potencial, generalmente en los diodos de Silicio es de 0,7 voltios y en los de Germanio de 0,3 voltios.
Corriente Máxima: Es la corriente que soporta el diodo sin quemarse.
Corriente inversa de saturación: Es la corriente que se da en polarización inversa, generalmente es del orden de los µA (Microamperios).

Simbología

Modelos

Ideal
En polarización directa, cortocircuito.



En polarización inversa, circuito abierto.



Real
En polarización directa


En polarización inversa circuito abierto.
I=(E-vD)/R

Rectificadores
Son circuitos que convierten señales alternas en señales directas

Media Onda

Vprom=(Vm-VD)/π
Vrms=0,385(Vm-VD)

Vo=Vm/2(1+e^((-t)/τ) )
t=3/4F
τ=RC
Rectificador de Onda Completa

Derivación CentralVprom=(2(Vm-VD)/π

Circuito Puente de Diodos
Vprom=2((Vm-2VD)/π)

El Diodo Zener
Dispositivo electrónico que al conectarse en polarización inversa es capaz de conducir corriente eléctrica, al superar el voltaje Zener, y trabaja solo con el voltaje Zener solo cuando...