SISTEMAS


“Año de la Promoción de la Industria Responsable y del Compromiso Climático”
UNIVERSIDAD NACIONAL
FEDERICO VILLARREAL





FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA E INFORMATICA
EAP. INGENIERIAMECATRONICA

SISTEMAS DIGITALES I


GUÍA Nº01
PROGRAMACION Y LECTURA DE MEMORIAS SRAM 6116




NOMBRE:

Neira Castillo José Eduardo


Breña, 7 Mayo 2014
1. Implemente el siguientecircuito






















2. El circuito nos permitirá experimentar con la SRAM. Como puede notarse, el cambio de la dirección de memoria, los datos de entrada y las líneasde control se van a manipular por medio de interruptores, en tanto que los datos de salida podrán visualizarse en los leds.

MODO ESCRITURA



MODO LECTURA



3. La SRAM 6116 es una memoriade 2K x 8, sin embargo en este circuito no es posible direccionar esos 2K en su totalidad ni tampoco toda la anchura de palabra disponible, ¿explique a que se debe es to?

4. ¿Para cuanta capacidady anchura de palabra está configurada la SRAM?

5. Junto con la RAM existe un inversor 74LS04, ¿por qué es necesario incluirlo en el circuito?

6. En el circuito también hay un 74LS244, escriba¿cuál la función que realiza en el circuito?

7. ¿Es posible omitirlo?, justifique su respuesta.

8. Con la ayuda de los microinterruptores, introduzca 0’s en todas las líneas de dirección y 1’s entodas las líneas del dato de entrada, la R/W’ y la de habilitar memoria. A continuación ponga la R/W’ en cero. ¿Qué es lo que sucede en el circuito?

9. Retorne R/W’ a un nivel alto. ¿Describa quefue lo que paso y por qué?

10. Introduzca un nivel bajo en la línea habilitar memoria y luego ponga R/W’ = 0. Modifique el dato de entrada a 1111b, 0011b y 1010b. Después retorne R/W’ a 1, ¿Huboalgún cambio en los leds?,

11. Describa las operaciones que llevo a cabo la SRAM al manipular las señales en el inciso anterior.

12. Modifique el valor lógico de las líneas de dirección de tal...