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NOMBRE LA PRACTICA: UJT (UNIJUNTION TRANSISTOR)
TRANSISTOR DE UNIUNION

FECHA DE ENTREGA: 22/MARZO/2013



El transistor uniunión (en inglés UJT: UniJuntion Transistor) es un tipode tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor (), base uno () y base dos (). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales , en laque se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican como  y  respectivamente. Unmaterial de tipo p se utiliza para formar una juntura p-n en el límite de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n. El tercer terminal llamado emisor () se hace a partir de este materialtipo-p. El tipo n está ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p está fuertemente contaminado. Como el tipo n está ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el material tipop, ofrece baja resistividad puesto que está fuertemente contaminado.
Fijándose en la curva característica del UJT se puede notar que cuando el voltaje  sobrepasa un valor  de ruptura, el UJT presentaun fenómeno de modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo, esta región sellama región de resistencia negativa, este es un proceso realimentado positivamente, por lo que esta región no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristoresy en osciladores de relajación.
El UJT se polariza normalmente según se vé en su curva de polarización. La base  se lleva a una tensión positiva (5V≤VBB≤30V). Por la resistencia  circula entonces...