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TRANSISTOR FET
Transistor FET ( field efecto transistor ) ó El transistor de efecto campo, es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar laconductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. Mientras los BJT son controlados por corrientes los FET soncontrolados por voltaje

El FET es un dispositivo unipolar que depende únicamente de la conducción de electrones (canal-n) o de huecos (canal-p). Se le llama efecto de campo, debido a que establecen uncampo eléctrico mediante las cargas presentes , que controlara la trayectoria de conducción del circuito de salida, sin la necesidad de un contacto directo entre las cantidades controladoras ycontroladas.
Una de sus características mas importantes es su gran impedancia de entrada que es muy bueno para el diseño de sistemas de amplificación lineal de AC. son mas estables en la temperatura y suconstrucción es mas pequeña facilitando el uso en los circuitos integrados

TRANSISTOR J-FET
El JFET ó transistor de efecto de campo de juntura, dispositivo con tres terminales y una capaz decontrolar la corriente de las otras dos. circuito que, según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. Al ser transistor de efecto de campo eléctrico, estos valores deentrada son los voltajes, en concreto el voltaje entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplificadefiniendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.
Zona Óhmica o líneal: se comporta como una resistencia cuyo valor depende de VGS
Zona de saturación: Amplifica y secomporta como una fuente de corriente controlada por VGS
Zona de corte: la intensidad de Drenador es nula
VGS=-VGG VDD=ID RL+VDS


Físicamente, un JFET de los denominados...