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Páginas: 49 (12165 palabras) Publicado: 12 de septiembre de 2014
APUNTES DE ELECTRONICA ANALÓGICA BÁSICA

Carrera: INFORMÁTICA Y COMPUTACIÓN
Materia: ELECTRÓNICA ANALÓGICA BÁSICA
Clave: 212C00
Académica: ELECTRÓNICA ANALÓGICA
Elaborados por: ING. CRISTINA GUADALUPE VELÁZQUEZ ARREOLA

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA
ÍNDICE
1. Dispositivos Semiconductores
1.1Materiales eléctricos……………………………………………………………………………….. 4
1.1.1 Definición ycaracterísticas del aislante……………………………………………………. 4
1.1.2 Definición y características del conductor…………………………………………........... 4
1.1.3 Definición y características del semiconductor…………………………………………… 5
1.2 El diodo……………………………………………………………………………………………...7
1.2.1 Clasificación…………………………………………………………………………………… 7
1.2.2 Construcción y símbolos ……………………………………………………………………. 9
1.2.3 Polarización directa einversa………………………………………………………............ 9
1.2.4 Curva característica……………………………………………………………………..…… 9
1.2.5 Prueba de diodos e identificación de terminales………………………………………… 10
1.2.6 Hoja de especificaciones del diodo………………………………………………………... 11
1.2.7 Configuración de diodos en serie y paralelo……………………………………………… 12
1.3 Diodo rectificador…………………………………………………………………………………. 14
1.3.1 Símbolo, características yPrincipios de funcionamiento………………………………. 14
1.3.2 Rectificador de media onda ………………………………………………………………. 16
1.3.3 Rectificador de onda completa tipo puente……………………………………………… 17
1.3.4 Rectificador de onda completa con derivación central……………………………….. 20
1.4 Diodo zener………………………………………………………………………………………. 22
1.4.1 Símbolo, características y principios de funcionamiento………………………………. 22
1.4.2 Regulador devoltaje con carga variable…………………………………………………. 25
1.4.3 Regulador de voltaje con fuente variable…………………………………………………. 26
1.5 Diodos emisores y receptores de luz…………………………………………………………… 27
1.5.1 Diodo emisor de luz(LED)………………………………………………………………….. 27
1.5.2 Arreglos de LED´S (display)……………………………………………………………….. 31
1.5.3 Diodo emisor de infrarrojos (IRED)……………………………………………………….. 34
1.5.4 DiodoLASER……………………………………………………………………….............. 35
1.5.5 Fotodiodo…………………………………………………………………………………….. 38
1.5.6 Optoacopladores……………………………………………………………………………. 39
1.6 Otros diodos………………………………………………………………………………………… 40
1.6.1 Diodo túnel……………………………………………………………………………………. 40
1.6.2 Diodo varactor……………………………………………………………………………….. 40
1.6.3 Diodo Schottky……………………………………………………………………………….. 42
2. El transistor2.1 Clasificación de
transistores………………………………………………………………… 43
2.1.1 Transistor de unión bipolar (BJT)………………………………………………………….. 43
2.1.2 Transistor de efecto de campo (FET)……………………………………………………… 43
2.2 Transistores NPN y PNP………………………………………………………………………… 44
2.2.1 Construcción y símbolos…………………………………………………………………… 44
2.2.2 Polarización…………………………………………………………………………………… 45
2.2.3 Principios defuncionamiento………………………………………………………………. 46
2.2.4 Prueba de transistores e identificación de terminales…………………………………… 49
2.2.5 Hoja de especificaciones del transistor……………………………………………………. 49
2.3 Configuraciones básicas del BJT2……………………………………………………………… 49
2.3.1 Diagramas…………………………………………………………………………………….. 50
2.3.2 Características y principios de funcionamiento………………………………………….. 50
2.3.3 Curvascaracterísticas………………………………………………………………………. 51
2.4 Zonas de trabajo del BJT………………………………………………………………………... 55
2.4.1 Región activa…………………………………………………………………………………. 55
2.4.2 Región de corte………………………………………………………………………………. 56
2.4.3 Región de saturación…………………………………………………………….................. 56
2.4.4 Funcionamiento del transistor como switch………………………………………………. 57

2

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZARREOLA
3. Polarización del transistor de unión bipolar
3.1 Polarización fija con dos fuentes en EC………………………………………………………. 58
3.1.1 Circuitos equivalentes y desarrollo de formulas de entrada y salida………............... 58
3.1.2 Recta de carga y variación del punto Q………………………………………………….. 59
3.2 Polarización estabilizada con una fuente en EC……………………………………………... 59
3.2.1 Circuitos...
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