Tesis
Páginas: 3 (737 palabras)
Publicado: 19 de enero de 2012
ELECTRONICA II
1. DEFINICIÓN.
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pncon la disposición pnpn (Figura 2). Está formado por tres terminales, llamados Ánodo, Cátodo y Puerta. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elementounidireccional (sentido de la corriente es único), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.
Figura 1: Símbolo del SCR.
5. MÉTODOS DE DISPARO.
Paraque se produzca el cebado de un tiristor, la unión ánodo - cátodo debe estar polarizada en directo y la señal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que eltiristor alcance un valor de corriente de ánodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conducción deberácircular una corriente mínima de valor IH, marcando el paso del estado de conducción al estado de bloqueo directo.
Los distintos métodos de disparo de los tiristores son:
- Por puerta.- Por módulo de tensión.
- Por gradiente de tensión (dV/dt)
- Disparo por radiación.
- Disparo por temperatura.
El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por móduloy gradiente de tensión son modos no deseados.
Circuito de control de fase y metodo para operarlo
Un circuito de control de fase y el método para operarlo están configurados para controlar laenergía provista desde una fuente de CA a una carga de CA.La fuente de CA suministra una señal excitadora de CA que tiene una pluralidad de sucesivosmedio s ciclos positivos y negativos.El circuito decontrol de fasecomprende un par de interruptores de potencia, de los que hay uno primero y otro segundo y que están conectados entre la fuente de CA y la carga de CA. Elprimer interruptor depotencia...
1. DEFINICIÓN.
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pncon la disposición pnpn (Figura 2). Está formado por tres terminales, llamados Ánodo, Cátodo y Puerta. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elementounidireccional (sentido de la corriente es único), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.
Figura 1: Símbolo del SCR.
5. MÉTODOS DE DISPARO.
Paraque se produzca el cebado de un tiristor, la unión ánodo - cátodo debe estar polarizada en directo y la señal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que eltiristor alcance un valor de corriente de ánodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conducción deberácircular una corriente mínima de valor IH, marcando el paso del estado de conducción al estado de bloqueo directo.
Los distintos métodos de disparo de los tiristores son:
- Por puerta.- Por módulo de tensión.
- Por gradiente de tensión (dV/dt)
- Disparo por radiación.
- Disparo por temperatura.
El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por móduloy gradiente de tensión son modos no deseados.
Circuito de control de fase y metodo para operarlo
Un circuito de control de fase y el método para operarlo están configurados para controlar laenergía provista desde una fuente de CA a una carga de CA.La fuente de CA suministra una señal excitadora de CA que tiene una pluralidad de sucesivosmedio s ciclos positivos y negativos.El circuito decontrol de fasecomprende un par de interruptores de potencia, de los que hay uno primero y otro segundo y que están conectados entre la fuente de CA y la carga de CA. Elprimer interruptor depotencia...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.