Tipo N y P










¿Qué es impurificación, cristal semiconductor tipo N y tipo P?
La impurificación consiste en añadir materiales que donen electrones de conducción a los cristales semiconductores,en el caso de la impurificación de tipo n o que desequilibren el número de electrones en el sentido de robar uno del cristal en el caso de la impurificación p. Para conseguir materialessemiconductores de tipo n se deben utilizar materiales pentavalentes, es decir con cinco electrones de conducción en la última capa. Cuatro de estos electrones se unen a los del germanio o silicio en forma deenlace covalente quedando un electrón libre para la conducción eléctrica. El electrón sobrante es ahora un electrón de conducción y el material donante en un ion positivo.
¿Qué es una unión P-N?
Sedenomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Está formada por la unión metalúrgica de doscristales, generalmente de Silicio (Si), aunque también se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristalesde metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algún otro metal o compuesto químico.
Barrera de potencia:
En mecánica cuántica, la barrera de potencial finita es un problema modelomono-dimensional que permite demostrar el fenómeno del efecto túnel. Para ello se resuelve la ecuación de Schrödinger independiente del tiempo para una partícula que incide sobre una barrera depotencial.
Polarización directa:
Con la polarización directa, la unión p-n impulsa los huecos desde el material tipo p a la unión y los electrones desde el material tipo n a la unión. En la unión, loselectrones y huecos se combinan de modo que se mantiene una corriente continua.
Polarización inversa:
El diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se...