Tiristores

UNIVERSIDAD DON BOSCO
FACULTAD DE ESTUDIOS TECNOLÓGICOS
ESCUELA DE BIOMÉDICA Y ELECTRÓNICA.
CICLO: 1 / 2010

GUION DE CLASES #3
NOMBRE DE LA MATERIA: Electrónica de Potencia.
NOMBRE DELPROFESOR: Edward Alfonso Arevalo Monge.
TEMA 3. Tiristores (Continua ción).
FECHA: Lunes 01/03

4 . TRIAC

Control de fase con TRIAC

5. Transistor monounión (UJT – Unjunction Transistor)
ElTransistor Uniunión, UJT es un popular dispositivo usado en los osciladores de relajación para
e l disparo de Tiristores. El UJT está constituido por una resistencia de silicio tipo N, terminada en
doselectrodos o bases denominadas B1 y B2; por ello las resistencias entre las dos bases, R BB o
resistencia interbase, es de entre 5 a 10k estando e l emisor abierto. En la siguiente figura se
muestrala estructura física interna de un UJT. El modelo equivalente está constituido por un
diodo que excita la unión de dos resistencias internas, R1 y R2 , que conforman la resistencia
R
interbase RR 2. La soldadura de aluminio produce un dopado fuerte de aceptadores en
BB
1
las proximidades formando una unión PN.

Electrónica de Potencia (EPO411) Aula: a17a

1

c) Forma física delelemento UJT.

d) Símbolo

Si los terminales B1 y B2 están polarizados en directo con una tensión V BB, se crea un divisor de
tensión entre el contacto de la región P y los terminales B1 y B2, tal queel voltaje entre la región

Electrónica de Potencia (EPO411) Aula: a17a

2

P y e l Terminal B1 será Cuando el diodo no conduce, la caída de tensión en R 1 (V1 ) se puede
expresar como:

R
B1
V
 B1
VB
B
2
1
R B
R
B
1
2

I
E0

R
R
B
1
1
B
R B R 2
R
B
B
B
1
2
1




V   B1
VB
B
2
1

R
1
 B  B1
VB
RB 2
B1
2

I
E0

R 2  B BRR
B
B
1
1
2

I
E0

I
E0

e) Circuito equivalente interno correspondiente al símbolo de la figura anterior.
Curva característica del emisor del UJT

Electrónica de Potencia...