Transistor Darlington

Colegio Don Bosco

Transistor Darlington

ELECTRONÍCA AVANZADA

Profesor: Jorge Alberto Basagoitia

Estudiante: Jonathan Francisco Ascencio Flores AF111479

III “A”

PILET ELECTRÓNICA

Ciudadela Don Bosco, 11 de julio del 2011

INDICE

Portada
Índice i
Introducción 2
Objetivos 3
Contenido
* Característicasprincipales 4
* Simbología 4
* Tipos de transistores Darlington 5
* Aplicaciones 9
* Ventajas 10
* Desventajas 11
Conclusiones 12

INTRODUCCIÓN

La configuración de transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares a veces llamado par Darlington enun único dispositivo. La configuración Darlington fue inventada por el ingeniero de los Laboratorios Bell Sidney Darlington. La idea de poner dos o tres transistores sobre un chip fue patentada por él, pero no la idea de poner un número determinado de transistores que originaría la idea moderna de circuito integrado.
El presente documento invita al lector a conocer el manejo de los transistoresde una manera de amplificación utilizando el seguidor emisor como también la configuración Darlington, como una poderosa herramienta, en el uso electrónico mayor mente utilizado en situaciones donde se quiere amplificar una corriente muy pequeña y amplificarla de una manera impactante.

OBJETIVOS

* Identificar la simbología de una configuración de transistores Darlington.
* Reconocerlos tipos de transistores Darlington.
* Saber las características principales de una configuración de transistores Darlington.

* Manipular adecuadamente la información del presente documento.
* Formar una capacidad de análisis critica, para interpretar de una manera optima la información, de una forma lógica como analítica.

CONTENIDO

CARACTERISTICAS PRINCIPALES
1-Estaconfiguración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente
2-La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales.
3-Es un dispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior.
4-Tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un único transistor, de ahí que pueda convertirsefácilmente en inestable.
5- La tensión base-emisor también es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V.
6-La beta de un transistor o par Darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales

SIMBOLOGÍA


La configuración Darlington sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corrientey, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma configuración. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. También tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un único transistor, de ahí que puedaconvertirse fácilmente en inestable. La tensión base-emisor también es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales. la intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total.

Si β1 y β2son suficientementegrandes, se da que:

Un inconveniente es la duplicación aproximada de la base-emisor de tensión. Ya que hay dos uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje base-emisor equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor:

Para la tecnología basada en silicio, en la que cada VBEi es de aproximadamente 0,65 V cuando el dispositivo está funcionando en la región...