Transistor Fet

El Transistor FET

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1. Introducción
El transistor de efecto de campo, FET por su siglas en inglés: Field Effect Transistor, es
un dispositivo semiconductor de tres terminales, conducciónunipolar y controlado por
voltaje a diferencia del BJT que es controlado por corriente. Se construyen
principalmente de Silicio o Germanio.
Estos dispositivos presentan una impedancia de entrada muyalta, sea cual sea la
configuración del dispositivo, lo cual permite un mejor control del ruido.
Se utilizan en la amplificación de señales, fuentes de poder reguladas y como
resistenciascontroladas por voltaje.
2. Construcción del FET
El transistor FET está formado por un bloque de material tipo n o tipo p junto con dos
contactos de un material de tipo opuesto al material del bloque, talcomo muestra la
figura 1.
S

D

G

Figura 1
Cada extremo del bloque corresponde a un terminal, identificados como:
S → Surtidor o Fuente
D → Drenador
La unión de los dos contactoscorresponde al otro terminal identificado como:
G → Compuerta (Gate)
El espacio entre los dos contactos se llama canal y da la clasificación del FET en FET
canal N y FET canal P. La figura 2 ilustra laestructura de estos FET.

S

N

P

S

D

P

N

P

N

G

D

G

FET Canal N

FET Canal P
Figura 2

Electrónica

Prof. Julima Anato

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Elsímbolo circuital utilizado para estos dispositivos se muestra en la figura 3.
D

D

G

G
S

S

FET Canal N

FET Canal P

Figura 3
3. Operación del BJT
La operación del transistor dependede la polarización de las uniones PN o NP del
dispositivo. Durante la operación normal del FET no se hace fluir corriente a través de
las uniones. En lugar de esto, la conducción ocurre únicamente através del canal. Por
tanto las uniones PN o NP del dispositivo se polarizan inversamente.
Mientras no exista polarización en el dispositivo no hay conducción en el mismo.
3.1. Polarización...