Transistores fet

TRANSISTOR FET
(Transistor de Efecto de
Campo)
Kevin Rivera
Andrés Siple
Adelaida Gari
Jorge Cortés

Que es un transistor FET
El transistor FET es un dispositivo

semiconductor que controla un flujo
de corriente por un canal semiconductor,
aplicando un campo eléctrico perpendicular a
la trayectoria de la corriente.
El transistor FET está compuesto de una parte
de silicio tipo N, a la cual sele adicionan dos
regiones con impurezas tipo P llamadas
compuerta (gate) y que están unidas entre si.

Partes de un transistor FET
Los terminales de este tipo de transistor se

llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el
tercer terminal es la compuerta (gate) que ya
se conoce.
La región que existe entre el drenador y la
fuente y que es el camino obligado de los
electrones se llama "canal". Lacorriente
circula de Drenaje (D) a Fuente (S).

Polarización de un transistor FET
Este tipo de transistor se polariza de manera

diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje
se polariza positivamente con respecto
al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate se
polariza negativamente con respecto a la fuente (Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más
difícil parala corriente pasar del terminal drenador
(drain) al terminal fuente o source. La tensión -Vgg
para la que el canal queda cerrado se llama "punchoff" y es diferente para cada FET

El transistor de juntura bipolar es un

dispositivo operado por corriente y requieren
que halla cambios en la corriente de base
para producir cambios en la corriente
de colector. El transistor FET es controladopor tensión y los cambios en tensión de la
compuerta (gate) a fuente (Vgs) modifican la
región de rarefacción y causan que varíe el
ancho del canal.

Fundamento de transistores de efecto de
campo:
Los transistores son tres zonas

semiconductoras juntas dopadas
alternativamente con purezas donadoras o
aceptadoras de electrones. 
de transistor FET
SuModelo
estructura
y representación se muestran
canal n
enla tabla.
Modelo de transistor FET
canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-

Puerta están polarizadas en inversa de tal
forma que no existe otra corriente que la
inversa de saturación de la unión PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la
amplitud de la zona de deplexión afecta a la
longitud efectiva del canal. La longitud de la
zona de deplexión y depende de la tensióninversa (tensión de puerta).

Curva característica del transistor FET
Este gráfico muestra que al aumentar el voltaje
Vds (voltaje drenador - fuente), para un Vgs
(voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumenta
rápidamente (se comporta como una resistencia)
hasta llegar a un punto A (voltaje de estricción),
desde donde la corriente se mantiene casi
constante hasta llegar a un punto B (entra en laregión de disrupción o ruptura), desde donde la
corriente aumenta rápidamente hasta que
el transistor se destruye.

Si ahora se repite este

gráfico para más de un
voltaje de compuerta
a surtidor (Vgs), se
obtiene un conjunto de
gráficos. Ver que Vgs es
"0" voltios o es una
tensión de valor
negativo.
Si Vds se hace cero por
el transistor no circulará
ninguna corriente. (ver
gráficos a la derecha)Ver gráfico de la curva característica de

transferencia de un transistor FET de canal tipo P
en el gráfico inferior derecha. La fórmula es: ID =
IDSS (1 - [Vgs / Vgs (off)] )

donde:

- IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs = 0
- Vgs (off) es el voltaje cuando ya no hay paso de
corriente entre drenaje y fuente (ID = 0)
- Vgs es el voltaje entre entre la compuerta y la
fuente para la quese desea saber ID

Entre las principales aplicaciones de este
dispositivo podemos destacar:
APLICACIÓN

PRINCIPAL VENTAJA

USOS

Aislador o
Impedancia de entrada
separador (buffer) alta y de salida baja

Uso general, equipo de medida,
receptores

Amplificador de RF Bajo ruido

Sintonizadores de FM, equipo para
comunicaciones

Mezclador

Baja distorsión de
intermodulación

Receptores de FM y...