Transistor Ujt Y Fet

El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo queconsiste de una sola unión PN
Físicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones eléctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexión hecha con un conductor de aluminio(E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N.
En el lugar de unión el aluminio crea una región tipo P en la barra, formando  así una unión PN.
Como se dijo antes este es un dispositivode disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo está dado por la fórmula:

Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1

Donde:
- n = intrinsicstandoff radio (dato del fabricante)
- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La fórmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y latemperatura.
Dos ejemplos sencillos
1.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1.
Cuál es el voltaje de disparo aproximado?
Voltaje de disparo = Vp =  0.7 + (0.63 x 24) = 15.8Voltios
2.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.68 y 12 voltios entre B2 y B1.
Cuál es el voltaje de disparo aproximado?
Voltaje de disparo = Vp =  0.7 + (0.68 x 12) = 8.86 Voltios.
El FET es undispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.
El FET está compuesto de una parte desilicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre si. Ver la figura
Los terminales de este tipo de transistor se llamanDrenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La región que existe  entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se...