Transistor

Transistor
1 ¿Qué es un transistor?
El transistor tipo PNP es aquel donde un semiconductor delgado tipo N en un cristal semiconductor se ha insertado entre dos semiconductores tipo P. Mientras que el transistor tipo NPN es aquel donde un semiconductor delgado tipo P ha sido insertado entre dos semiconductores tipo N. En la configuración de los símbolos del semiconductor, la letra E indicael terminal del Emisor, la letra B indica el terminal de la Base y la letra C indica el terminal del Colector.

Simbología y tipos de Transistores


El transistor según la asociación de los semiconductores, son de tipo PNP y tipo NPN.
El nombre del transistor es anexado según el uso y tipo.
2SA××× ----- Transistor de tipo PNP para alta frecuencia
2SB××× ----- Transistor de tipo PNP parabaja frecuencia
2SC××× ----- Transistor de tipo NPN para alta frecuencia
2SD××× ----- Transistor de tipo NPN para baja frecuencia  
 


































































2 Funcionamiento Básico del Transistor
2.1 Operación Básica del transistor tipo NPN
Este tipo se conecta en forma opuesta aldel tipo PNP; como se muestra en la figura inferior, unos pocos huecos son proporcionados desde el polo positivo de la fuente eléctrica, de modo que estos producen una pequeña porción de corriente base IB. Los electrones que provienen desde el emisor no han sido capaces de unirse con los huecos de la base para moverse hacia el lado del colector, debido al VCB del lado del colector estos producen lacorriente IC. Normalmente el 95~98 % entre la corriente del emisor IE llega a IC pero el resto, 2~5 %, llega a IB.


























2.2 Operación Básica del transistor tipo NPN
Si el voltaje continuo VBE se aplica entre el emisor y la base, la barrera potencial eléctrica en el enlace PN disminuye. En el emisor del lado P, muchos huecos se generan porque laconcentración de material con impurezas se fortalece. En la base de lado N, debido a que es muy delgada, la concentración del material de impurezas es más débil, ya que sólo hay unos pocos electrones. Los huecos en el emisor que cruzan sobre la barrera de potencial eléctrico y entran al lado de la base por difusión, desaparecen en el enlace con una parte de los electrones de la base. Perodebido a que estos pocos electrones están continuamente alimentados por la fuente eléctrica de polo negativo “-“, se produce una pequeña corriente de base IB.
Si el voltaje inverso VCB es aplicado entre la base y el colector, la barrera de potencial eléctrico es incrementada en la superficie de enlace PN de modo que la corriente eléctrica no fluye entre la base y el colector.
Los huecos que nopodrán unirse con los electrones, pero como provienen desde el emisor, ahora se mueven hacia el lado del colector debido a la VCB del lado del colector. Estos producen la corriente IC del colector. Los huecos del emisor son suministrados gradualmente desde el polo positivo, de modo que producen la corriente Ic del emisor. La mayor parte de IE llega a IC, no obstante una muy pequeña porción segenera como corriente IB de base.

7.2.3 Función de amplificación del transistor
Como ya hemos descrito en la sección “Funcionamiento Básico”, la mayoría de los electrones (no menos de 95%) se mueven hacia el colector, pero sólo unos pocos electrones (no más del 5%) se juntan con los huecos de la base. De modo que la dirección de la corriente eléctrica y la corriente de electrones se definencomúnmente como corrientes opuestas, donde la corriente del emisor es dividida en corriente del colector y corriente base , la siguiente ecuación sostiene que:

IE = IB + IC

De esta forma, la corriente alta del colector puede ser deducida desde una pequeña corriente de base, por lo tanto para se llama amplificación de corriente eléctrica, mientras la relación (razón) entre e son...