transistores de potencia

Notas de Clase

Electrónica II

NOTAS DE CLASE

Transistores de Potencia

Edición 2010

Notas de Clase

Electrónica II

Índice

1.
2.

Introducción. ............................................................................................ 3
Caracterización de los transistores de potencia - el transistor bipolar..... 4

2.1Generalidades.....................................................................................................................4
2.2 Parámetros máximos..........................................................................................................4
2.2.1 Corriente máxima de colector .....................................................................................4
2.2.2 Tensiones de ruptura...................................................................................................4
2.3 Curvas de primera ruptura .................................................................................................6
2.4 Curva de potencia máxima.................................................................................................7
2.5 Segunda ruptura (Second Breakdown - SB) o avalancha secundaria................................7
2.5.1 Segunda ruptura con polarización directa base-emisor...............................................7
2.5.2 Segunda ruptura con polarización inversa base-emisor ..............................................8
2.5.3 Curvas de la primera y de la segunda ruptura para polarización de base-emisor
directa e inversa......................................................................................................................10
2.5.4 Curvas de potencia máxima y segunda ruptura.........................................................10
2.6 Área de operación segura (SOA) .....................................................................................11
2.7 Área de operación segura para polarización directa (Forward Bias Safe Operating Area FBSOA).....................................................................................................................................11
2.8 Observaciones sobre las curvas de potencia máxima: .....................................................12

3.

Caracterización de los transistores de potencia - el transistor MOSFET 13

3.1 Parámetrosmáximos........................................................................................................13
3.1.1 Corriente de drenaje ..................................................................................................13
3.1.2

Tensión de ruptura drenaje-fuente ( V( BR ) DSS ) ......................................................13

3.1.3

Tensión máxima (absoluta)compuerta-fuente..........................................................13

R DS (ON )

3.2

Resistencia en conducción drenaje-fuente,

3.3

Tensión drenaje-fuente en conducción

3.4

Diodo inverso...................................................................................................................15

3.4.1

(Drain-Source ON Resistance)...14

V DS (ON ) .....................................................15Corriente continua de drenaje inversa –

I DR ...........................................................15
I DRM .........................................................16

3.4.2 Corriente de drenaje pulsante inversa –
3.4.3 Tensión de conducción directa del diodo..................................................................16
3.5 Área de operaciónsegura.................................................................................................16
3.5.1 Área de operación secura en dolarización directa - FBSOA.....................................16
3.5.2 Área de operación secura en conmutación – SSOA.................................................. 17

4.

BIBLIOGRAFIA.................................................................................... 17

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