TRANSISTORES JFETU Trabajo copia Para ingreso de pagina


TRANSISTORES JFET


CONSTRUCCION

El transistor de efecto de campo fue patentado por Edgar Lilienfeld en 1925 y por Oskar Heil en 1934, pero los dispositivos semiconductores fueron desarrolladosen la práctica mucho después, en 1947 en los Laboratorios Bell , cuando el efecto transistor pudo ser observado y explicado. El equipo detrás de estos experimentos fue galardonado con el Premio Nobelde Fisica. Desde 1953 se propuso su fabricación por Van Nostradand (5 años después de los BJT). Aunque su fabricación no fue posible hasta mediados de los años 80’s.
Están construidos por tresterminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del 

CARACTERISTICAS
El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio dematerial semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados.
En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor que la de la fuente para queexista un flujo de corriente  a través de canal.
Además, la puerta debe tener una tensión  más negativa que la fuente para que la unión p-n se encuentre polarización inversamente.

CARACTERISTICAS DETRANSFERENCIA:
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).
No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
Hasta cierto punto es inmune a laradiación.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.

  


CONFIGURACIUON JFET:



LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.
Estostoman la forma:
dígito, letra, número de serie, [sufijo]
donde la letra es siempre 'N'
El primer dígito es siempre una unidad menor que el número de patillas, (2 para transistores, no estoy seguro sitransistores de 4 patillas tienen 3) excepto para 4N y 5N que están reservados para opto acopladores.
El número de serie se sitúa entre el 100 y el 9999 y no dice nada sobre el transistor, salvo su...