transistores

Introducción
En el año 1904 a 1947 fue el periodo en el que el tubo de vacío o bulbo tuvo un gran interés y desarrollo. En 1904 J.A. Fleming presento el tubo de vacío, después de dos años en 1906lee que Forest agrego un tercer dispositivo llamado rejilla de control.
Con lo que fue suficiente para originarse el amplificador. El tríodo, a partir de los años treinta los tubos al vacio conhasta tres (tetrodo) y cinco (pentodo) elementos, los cuales fueron la importancia de la industria de los bulbos.
Fue el 23 de diciembre de 1947 cuando en la industria de la electrónica experimentaronun campo completamente nuevo de interés y en el desarrollo.
Walter H. Brattain y John Bardeen fueron los que demostraron el funcionamiento de un amplificador del primer transistor en loslaboratorios Bell Telephone.
El transistor original tiene un punto de contacto. Porque una de sus ventajas es el estado sólido de las terminales sobre el bulbo lo cual se manifestaron de inmediato; eranpequeños y ligeros, no tenía requerimiento de calentamiento o disipación de calor, tenía y era más eficiente debido a que el mismo dispositivo absorbía menor potencia.

Desarrollo
En la construcción de untransistor. Es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos capas de material tipo n y una de tipo p o dos capas de material tipo p y una de tipo n.
Las capas exteriores deltransistor son materiales semiconductores con altos niveles de dopado, y que tienen anchos mucho mayores que los correspondientes al material emparedado de tipo p o n.Transistor tipo npn Transistor tipo pnp
Relación entre el ancho total y el ancho de la capa central es de 0.150/0.001 = 150:1.
Para establecer una polarización cd senecesita una región de operación apropiada.  El dopado de la capa emparedada es también considerablemente menor que el de las capas exteriores (por lo general de 10:1 o menos). Este menor nivel de...