Transistores

Republica Bolivariana de Venezuela
Ministerio del Poder Popular para la Defensa
Universidad Nacional Experimental de las Fuerzas Armadas
Maracaibo – Estado – Zulia

Introducción

El trabajo que se mostrara a continuación es referente a los transistores; su construcción, tipos, características eléctricas y curva eléctrica. Este dispositivo ha venido avanzando con el paso del tiempo. Aprincipios de los años treinta los tubos al vacio de cuatro y cinco elementos (tetrodo y pentodo, respectivamente) cobraron gran importancia en la industria de los bulbos. En los años siguientes, la industria se convirtió en unas de las más importantes y se lograron y se lograron rápidos avances en cuanto al diseño, a las técnicas de fabricación, a las aplicaciones de alta potencia y altafrecuencia, y a la miniaturización.
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947, la industria de la electrónica experimento la llegada de un campo completamente nuevo en el interés y en el desarrollo. En la tarde de ese día, Walter H. Brattain y John Barden demostraron la acción de amplificación del primer transistor en los laboratorios Bell Telephone. El transistor original (un transistor de punto decontacto ) presenta las ventajas de este dispositivo de estado solido de tres terminales sobre el bulbo se manifestaron de inmediato: era mas pequeño y ligero, no tenia requerimientos de calentamiento o disipación de calor, tenia una construcción resistente y era mas eficiente debido a que el mismo dispositivo absorbía menor potencia

Construcción del Transistor
El transistor en un dispositivosemiconductor de tres capas que consta de ya sea dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien de dos capas de material tipo p y una tipo n. Al primero se le denomina transistor npn mientras que al segundo transistor pnp. Ambos se muestran en la figura con la polarización de dc adecuada. La polarización de dc es necesaria para establecer la región de operación adecuada para laamplificación de ac. La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada, la de la base ligeramente dopada y la del colector solo muy poco dopada. Las capas exteriores tiene espesores mucho mayores que los del material tipo p o tipo n centrales. Para los transistores que se muestran en la figura la proporción del espesor total con respecto al espesor de la capa central es de 0.150/0.001= 150:1. El dopado de lacapa central es también mucho menor que el dopado de las capa exteriores ( casi siempre 10:1 o menos). Este bajo nivel de dopado disminuye la conductividad ( incrementa la resistencia) de este material al limitar el numero de portadores “libres”.
En la polarización que se muestra en la figura se indican las terminales mediante las literales E para el emisor. C para el colector y B para la base.Se apreciara mejor la elección de esta notación cuando se analice la operación básica del transistor. La abreviatura BJT, de Transistor Bipolar de Unión (del ingles Bipolar Juction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El término bipolar refleja el hecho de que tantos huecos como electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polarizado en formaopuesta. Si solo se utiliza un portador (electro o hueco), se considera entonces un dispositivo unipolar.



Tipo de Transistor
* Transistores Bipolares de unión, BJT. ( PNP o NPN )
- BJT, de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor). 
El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección haciael material polarizado de forma opuesta.

* Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET, MOSFET )
- JFET, De efecto de campo de unión (JFET): También llamado transistor unipolar, fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un...