transistores

PARAMETROS DE OPERACIÓN Y CLASIFICACION DE LOS BJT

TRABAJO #1



ALEJANDRO ARGUELLO
RAUL RAMOS
JOSE TIPAN



INSTITUTO TECNOECUATORIANO
MECANICA Y GERENCIA DE SERVICIO AUTOMOTRIZ
QUITO
2014






INTRODUCCION


El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente endos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entradabastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.

Existen dos tipos, PNP y NPN; se utilizan para amplificar señales analógicas, tratamiento de señales digitales y como conmutador de potencia eléctrica, en circuitos concomponentes discretos e integrados.









DESARROLLO DEL TEMA

1. Parámetros de operación
2. Clasificación de los BJT
3. Gráficos
4. Recomendaciones
5. Conclusiones
6. Bibliografía
7. Resumen personal












CONCEPTOS
1. Parámetros de operación
La siguiente afirmación es la base para el entendimiento de las distintas configuraciones del transistor y debecomprenderse totalmente:
Regla de polarización del transistor. Si la unión pn de un transistor se encuentra en polarización directa (polarización de conducción); entonces la restante unión np debe encontrarse en polarización inversa.
Refiérase a la figura 5.1 para su comprensión.
Cuando el diodo se polariza siguiendo la consideración anterior, entonces por la unión polarizada en directa existe granconducción, puesto que la región de agotamiento es muy estrecha tal como lo indica la figura 5.2, a diferencia de lo ancho de la región de agotamiento de la unión polarizada en inversa. En la misma figura se puede apreciar las corrientes resultantes, la mayor parte de corriente se dirige de emisor a colector, mientras que una corriente mínima se dirige de emisor a base. Aplicando la LCK altransistor se tiene que:

Sin embargo y cómo es posible también apreciar de la figura 5.2, la corriente de colector, está formada por dos componentes:

A la componente de corriente minoritaria se le denomina corriente de fuga y es del orden de entre 10-6 y 10-9 por lo que generalmente se desprecia (esta corriente es sensible a la temperatura).

Corriente media: es el valor medio de la corriente quepuede circular por un terminal (ej. ICAV, corriente media por el colector).
Corriente máxima: es la máxima corriente admisible de colector (ICM) o de drenado (IDM). Con este valor se determina la máxima disipación de potencia del dispositivo.
VCBO: tensión entre los terminales colector y base cuando el emisor está en circuito abierto. 
VEBO: tensión entre los terminales emisor y base con elcolector en circuito abierto.
Tensión máxima: es la máxima tensión aplicable entre dos terminales del dispositivo (colector y emisor con la base abierta en los bipolares, drenado y fuente en los FET).
Estado de saturación: queda determinado por una caída de tensión prácticamente constante. VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y resistencia de conducción RDSon en el FET. Este valor, juntocon el de corriente máxima, determina la potencia máxima de disipación en saturación.
Relación corriente de salida - control de entrada: hFE para el transistor bipolar (ganancia estática de corriente) y gds para el FET (transconductancia en directa).

2. Clasificación de los BJT
PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas...