Transistores

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UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA “ANTONIO JOSE DE SUCRE” VICE-RECTORADO DE PUERTO ORDAZ DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA ELECTRÓNICA II

Prof. Mabel Pardo Semestre: 12-I LABORATORIO#1 Circuitos Básicos de Polarización para Transistores JFET y MOSFET OBJETIVOS: 1. Conocer y analizar circuitos básicos, para la determinación de las características eléctricas de transistores JFET yMOSFET discretos de propósito general. 2. Utilizar los manuales de fabricantes y realizar comparaciones con los valores medidos. 3. Observar la respuesta de funcionamiento de los transistores, através de la obtención de las correspondientes curvas características. 4. Medir Tensiones y corrientes en circuitos básicos de polarización y comparar con los resultados teóricos y de simulación.ACTIVIDADES DE PRE-LABORATORIO: 1. Investigue las características de funcionamiento y parámetros de los siguientes dispositivos: 2N5486, 2N7000. Revisar correspondiente hojas de datos de Fabricante. ObtenerVp, e IDss para el JFET y Kn para el Mosfet. 2. Partiendo de los parámetros de los dispositivos obtenidos de la hoja de fabricante, analice teóricamente los circuitos de las figuras 1,2,3. calculelos valores de tensión, corriente y potencia. 3. Realice las simulaciones correspondientes: a) Considerar un punto de funcionamiento en la zona de corriente constante por cada montaje, b) Obtenerdinámicamente las curvas características (ID Vs VDS), (ID Vs VGS) para cada dispositivo (2N5486, 2N7000) Nota: Para conocer el valor de las resistencias asociadas a cada montaje verifique la tabla anexa.Ubíquese por Grupo de laboratorio (según listado de inscripción)

ACTIVIDADES DE LABORATORIO: OBS: Recuerde llenar formato para la entrega de Resultados experimentales (se anexa) 1. Realice elmontaje de la figura #1, coloque el osciloscopio en modo X-Y (con tierra flotante). Observe la curva de respuesta para diferentes valores de VGS (0V, -2V). Dibuje lo observado, y anote los valores...