Transistores
Páginas: 7 (1502 palabras)
Publicado: 25 de agosto de 2010
INFORME DE LABORATORIO DE TRANSISITORES
* 4. MARCO TEORICO
Para polarizar un transistor JFET se puede hacer de dos formas: uno es en polarización fija y el otro es en polarización por divisor de voltaje.
En este laboratorio polarizamos el transistor de las dos formas para poder comparar los resultados de los cálculos realizados de una o la otra forma. En la práctica se nos pidióhallar el valor de las resistencias teniendo una corriente de drenador de 2mA y un voltaje drenador surtidor de vcc/2.
Para los cálculos en esta práctica (polarización fija y universal) usamos un VCC de 9V y el transistor 2N5459 el cual en su datasheet tiene como VT o VGSOFF = -8V y IDSS= 16mA.
4.1 POLARIZACION FIJA DEL JFET
1. vGS=-IDRS
2. ID=vDD-vDSRS+RD
3. Fig1polarización fija JTET
ID=IDSS1-vGSvGSOFF2
De la ecuación 3. vGS=1-2IDIDSSvGSoff
vGS=1-22mA8mA-8v=-4v
De la ecuación 1. RS=vGS-ID
RS=-4v-2mA=2KΩ
De la ecuación 2. RD=vDD-VDSID-RS
RD=9v-4,5v2mA-2KΩ=250Ω
Fig2 circuito simulado en proteus con los valores de resistencias calculados
4.2 POLARIZACION UNIVERSAL DEL JFET
1. ID=-VTH-VGSRS
2. ID=vDD-vDSRS+RD3. ID=IDSS1-vGSvGSOFF2
4. VTH=VDD R1R1+R2
5. R2=VDD RTHVTH
6. R1=VTHR1VDD-VTH
Fig3 polarización universal del JFET
De la ecuación 2. RS+RD=VDD-VDSID
RS+RD=9V-4,5V2mA = 2250Ω
Asumo RD=2KΩ y RS=250Ω
De la ecuación 1. VTH=-VGS-IDRS
VTH=4V-2mA*250Ω=3,5V
De la ecuación 5. R2=VDD RTHVTH
R2=9v*1MΩ3,5v=2,57MΩ
De la ecuación 6. R1=VTHR1VDD-VTHR1=3,5v*2,57MΩ9v-3,5v=1,636M
Fig4 circuito simulado en proteus con los valores de resistencias calculados
Para polarizar un transistor MOSFET se puede hacer de dos formas: uno es en polarización por retroalimentación y el otro es en polarización por divisor de voltaje.
Polarizamos el transistor de las dos formas para poder comparar los resultados de los cálculos realizados de unao la otra forma. En la práctica se nos pidió al igual que el JFET hallar el valor de las resistencias teniendo una corriente de drenador de 2mA y un voltaje drenador surtidor de vcc/2.
Para los cálculos en esta práctica (polarización por retroalimentación y universal) usamos un VCC de 9V y el transistor 2N7000 el cual en su datasheet tiene:
VGS (th) = 2V
VGS (on) = 4,5V
ID (on) = 75mA.4.3 POLARIZACION POR RETROALIMENTACION DEL MOSFET TIPO INCREMETAL
1. vDS=vDD-IDRD
2. ID=KvGS-vGS(th)2
Fig5 polarización retroalimentación MOSFET
De la ecuación 2. K=ID(ON)VGS(ON)-VGS(th)2
K=75mA4,5V-2V2=12mAV2
De la ecuación 2. VGS=IDK+VGS(th)
VGS=2mA12mAV2+2V=2,41V
De la ecuación 2. RD=vDD-VDSID
RD=9v-4,5v2mA=3KΩ
Fig6 circuito simulado enproteus con los valores de resistencias calculados
4.4 POLARIZACION UNIVERSAL DEL MOSFET
1. ID=VTH-VGSRS
2. ID=vDD-vDSRS+RD
3. ID=KvGS-vGS(th)2
4. VTH=VDD R1R1+R2
5. R2=VDD RTHVTH
6. R1=VTHR1VDD-VTH
Fig7 polarización universal del MOSFET
De la ecuación 2. RS+RD=VDD-VDSID
RS+RD=9V-4,5V2mA = 2250Ω
Asumo RD=2KΩ, RS=250Ω y RTH=1MΩ
De laecuación 3. K=ID(ON)VGS(ON)-VGS(th)2
K=75mA4,5V-2V2=12mAV2
De la ecuación 3. VGS=IDK+VGS(th)
VGS=2mA12mAV2+2V=2,41V
De la ecuación 1. VTH=VGS+IDRS
VTH=2,41V+2mA*250Ω=2,91V
De la ecuación 5. R2=VDD RTHVTH
R2=9v*1MΩ2,91v=3,1MΩ
De la ecuación 6. R1=VTHR1VDD-VTH
R1=2,91v*3,1MΩ9v-2,91v=1,48MΩ
Fig8 circuito simulado en proteus con los valores de resistenciascalculados
Al realizar los cálculos con:
VGS (th) = 0,8V
VGS (on) = 4,5V
ID (on) = 300mA.
De la ecuación 2. RS+RD=VDD-VDSID
RS+RD=9V-4,5V2mA = 2250Ω
Asumo RD=2KΩ, RS=250Ω y RTH=1MΩ
De la ecuación 3. K=ID(ON)VGS(ON)-VGS(th)2
K=300mA4,5V-0,8V2=21,91mAV2
Fig9 circuito simulado en proteus con los valores de resistencias calculados con los nuevos datos
De la...
* 4. MARCO TEORICO
Para polarizar un transistor JFET se puede hacer de dos formas: uno es en polarización fija y el otro es en polarización por divisor de voltaje.
En este laboratorio polarizamos el transistor de las dos formas para poder comparar los resultados de los cálculos realizados de una o la otra forma. En la práctica se nos pidióhallar el valor de las resistencias teniendo una corriente de drenador de 2mA y un voltaje drenador surtidor de vcc/2.
Para los cálculos en esta práctica (polarización fija y universal) usamos un VCC de 9V y el transistor 2N5459 el cual en su datasheet tiene como VT o VGSOFF = -8V y IDSS= 16mA.
4.1 POLARIZACION FIJA DEL JFET
1. vGS=-IDRS
2. ID=vDD-vDSRS+RD
3. Fig1polarización fija JTET
ID=IDSS1-vGSvGSOFF2
De la ecuación 3. vGS=1-2IDIDSSvGSoff
vGS=1-22mA8mA-8v=-4v
De la ecuación 1. RS=vGS-ID
RS=-4v-2mA=2KΩ
De la ecuación 2. RD=vDD-VDSID-RS
RD=9v-4,5v2mA-2KΩ=250Ω
Fig2 circuito simulado en proteus con los valores de resistencias calculados
4.2 POLARIZACION UNIVERSAL DEL JFET
1. ID=-VTH-VGSRS
2. ID=vDD-vDSRS+RD3. ID=IDSS1-vGSvGSOFF2
4. VTH=VDD R1R1+R2
5. R2=VDD RTHVTH
6. R1=VTHR1VDD-VTH
Fig3 polarización universal del JFET
De la ecuación 2. RS+RD=VDD-VDSID
RS+RD=9V-4,5V2mA = 2250Ω
Asumo RD=2KΩ y RS=250Ω
De la ecuación 1. VTH=-VGS-IDRS
VTH=4V-2mA*250Ω=3,5V
De la ecuación 5. R2=VDD RTHVTH
R2=9v*1MΩ3,5v=2,57MΩ
De la ecuación 6. R1=VTHR1VDD-VTHR1=3,5v*2,57MΩ9v-3,5v=1,636M
Fig4 circuito simulado en proteus con los valores de resistencias calculados
Para polarizar un transistor MOSFET se puede hacer de dos formas: uno es en polarización por retroalimentación y el otro es en polarización por divisor de voltaje.
Polarizamos el transistor de las dos formas para poder comparar los resultados de los cálculos realizados de unao la otra forma. En la práctica se nos pidió al igual que el JFET hallar el valor de las resistencias teniendo una corriente de drenador de 2mA y un voltaje drenador surtidor de vcc/2.
Para los cálculos en esta práctica (polarización por retroalimentación y universal) usamos un VCC de 9V y el transistor 2N7000 el cual en su datasheet tiene:
VGS (th) = 2V
VGS (on) = 4,5V
ID (on) = 75mA.4.3 POLARIZACION POR RETROALIMENTACION DEL MOSFET TIPO INCREMETAL
1. vDS=vDD-IDRD
2. ID=KvGS-vGS(th)2
Fig5 polarización retroalimentación MOSFET
De la ecuación 2. K=ID(ON)VGS(ON)-VGS(th)2
K=75mA4,5V-2V2=12mAV2
De la ecuación 2. VGS=IDK+VGS(th)
VGS=2mA12mAV2+2V=2,41V
De la ecuación 2. RD=vDD-VDSID
RD=9v-4,5v2mA=3KΩ
Fig6 circuito simulado enproteus con los valores de resistencias calculados
4.4 POLARIZACION UNIVERSAL DEL MOSFET
1. ID=VTH-VGSRS
2. ID=vDD-vDSRS+RD
3. ID=KvGS-vGS(th)2
4. VTH=VDD R1R1+R2
5. R2=VDD RTHVTH
6. R1=VTHR1VDD-VTH
Fig7 polarización universal del MOSFET
De la ecuación 2. RS+RD=VDD-VDSID
RS+RD=9V-4,5V2mA = 2250Ω
Asumo RD=2KΩ, RS=250Ω y RTH=1MΩ
De laecuación 3. K=ID(ON)VGS(ON)-VGS(th)2
K=75mA4,5V-2V2=12mAV2
De la ecuación 3. VGS=IDK+VGS(th)
VGS=2mA12mAV2+2V=2,41V
De la ecuación 1. VTH=VGS+IDRS
VTH=2,41V+2mA*250Ω=2,91V
De la ecuación 5. R2=VDD RTHVTH
R2=9v*1MΩ2,91v=3,1MΩ
De la ecuación 6. R1=VTHR1VDD-VTH
R1=2,91v*3,1MΩ9v-2,91v=1,48MΩ
Fig8 circuito simulado en proteus con los valores de resistenciascalculados
Al realizar los cálculos con:
VGS (th) = 0,8V
VGS (on) = 4,5V
ID (on) = 300mA.
De la ecuación 2. RS+RD=VDD-VDSID
RS+RD=9V-4,5V2mA = 2250Ω
Asumo RD=2KΩ, RS=250Ω y RTH=1MΩ
De la ecuación 3. K=ID(ON)VGS(ON)-VGS(th)2
K=300mA4,5V-0,8V2=21,91mAV2
Fig9 circuito simulado en proteus con los valores de resistencias calculados con los nuevos datos
De la...
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