Transistores

Tabla de contenido
Introducción 3
Objetivo: 3
Marco teórico 4
El transistor 4
Transistor de unión bipolar 4
Transistor en corte y saturación 4
El relevador 5
Descripción de la práctica 7
Control DC 7
Alimentación AC 8
Conclusiones 9

Introducción
La siguiente práctica está enfocada hacia tener un conocimiento básico del transistor en modo de corte y saturación. Para estapráctica utilizamos un Tip122 el cual es un transistor Darlington de potencia el cual colocamos en el circuito para analizar su función y comportamiento. También se utilizó un relevador, el cual se describe más ampliamente en el apartado de marco teórico. En el siguiente reporte se explican los pasos que se realizaron para armar el circuito y las funciones de los componentes dentro de dichocircuito. El resultado del circuito de control era un tipo de luz intermitente.
Objetivo:
Construir un circuito usando transistores en modo corte y saturación para verificar su uso como interruptor.
Materiales:
-protoboard
-diverso transistores
-relevador compacto un polo, dos tiros
-timer (ne555)

Marco teórico
El transistor
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor quecumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario.
Transistor de unión bipolar
El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristalde Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargasnegativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que,si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamientocuántico de la unión.
Transistor en corte y saturación
Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch, la corriente de base debe tener un valor para lograr que el transistor entre en corte y otro para que entre en saturación.
Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mínima (prácticamente igual a cero) y un voltaje colector emisor VCE) máximo (casi igual al voltaje dealimentación).
- Un transistor en saturación tiene una corriente de colector (Ic) máxima y un voltaje colector emisor (VCE) casi nulo (cero voltios).
Para lograr que el transistor entre en corte, el valor de la corriente de base debe ser bajo o mejor aún, cero.
Para lograr que el transistor entre en saturación, el valor de la corriente de base debe calcularse dependiendo de la carga que se estéoperando entre encendido y apagado (funcionamiento de interruptor).
Si se conoce cuál es la corriente que necesita la carga para activarse (se supone un bombillo o foco), se tiene el valor de corriente que habrá de conducir el transistor cuando este en saturación y con el valor de la fuente de alimentación del circuito, se puede obtener la recta de carga.
Esta recta de carga confirma que para...