Transistores

Transistor BJT:

Según Germán Villalba: BJT, de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor). 
El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polarizado de forma opuesta.

Según Miguel A. Zamora : es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entresí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
TransistorFET:
El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. El transistor FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre sí.
Los transistores deefecto de campo, conocidos generalmente como TEC ( o FET por sus siglas en ingles ), son un dispositivo unipolar, ya que lacorriente existe tanto en forma de electrones como de huecos. En un FET de canal n, la corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal p, se debe a huecos. Ambos tipos de FET secontrolan por una tensión entre la compuerta y la fuente.
Siendo este en realidad unafamilia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en unmaterial semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.

Tipos o configuraciones:
Tipos de bjt:
NPN:
Está formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentandolas tres zonas mencionadas (E, B, C).
El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base. En la base se gobiernan dichos portadores.
En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base.
Unión emisor: es la unión pn entre la base y el emisor.
Unión colector: es la unión pn entre la base y colector.
Cada una de las zonas está impurificada en mayor o menorgrado. La base 100 veces menos que el colector o emisor.
PNP:
El otro tipo de BJT es la PNP con las letras "P" y "N", refiriéndose a la mayoría de portadores de carga dentro de las diferentes regiones del transistor.
Transistores PNP consisten de una capa de N -dopados semiconductor entre dos capas de material dopado P-. Una pequeña corriente que sale de la base en el modo de emisor común esamplificada en la salida del colector. En otros términos, un transistor PNP es "el" cuando se tira de su base de bajo en relación con el emisor.
La flecha en el símbolo del transistor PNP está en la terminal del emisor ya punta en la dirección de la corriente convencional el flujo cuando el dispositivo está en modo de avance activo.
Un recurso mnemotécnico para identificar el símbolo del transistorPNP es" p ointing i n p roudly, o ' p ointing i n - p ah’
Se pueden considerar como la unión de dos diodos, por lo que debe de tener dos uniones PN ó NP.
Un transistor tiene por tanto tres zonas de dopado, en un transistor PNP, por ejemplo, existen tres zonas de dopado, diferenciadas entre sí y con diferentes cualidades. En un transistor PNP, la base es la zona N y las otras dos zonas P sedenominan colector y emisor y viceversa. El emisor y la base de un transistor es como si fueran un diodo (una unión PN) y la base y el colector forman la otra unión PN. A efectos prácticos, un transistor no funciona como la unión de dos diodos.
Tipos de fet:
JFET:
La estructura física de un JFET (transistor de efecto campo de unión) consiste en un canal de semiconductor tipo n o p dependiendo del...